一种深紫外发光二极管封装

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910059514.7

申请日：

2019-01-22

公开(公告)号：

CN109888079A

公开(公告)日：

2019-06-14

发明(设计)人：

康建姚禹郑远志陈向东梁旭东

申请人：

申请人地址：

243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L3358

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

文小莉;刘芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/48 申请日:20190122
2020-11-06	授权	授权
2019-06-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种深紫外发光二极管封装结构 [P].

闫志超 ;

黄小辉 ;

李大超 .

中国专利 :CN215451457U ,2022-01-07

[2]

深紫外发光二极管 [P].

R·格斯卡 ;

M·S·沙特洛娃 ;

M·舒尔 .

中国专利 :CN103038900A ,2013-04-10

[3]

深紫外发光二极管 [P].

R·格斯卡 ;

M·S·沙特洛娃 ;

M·舒尔 .

中国专利 :CN105590999A ,2016-05-18

[4]

深紫外发光二极管 [P].

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

张学双 ;

赵进超 .

中国专利 :CN216288494U ,2022-04-12

[5]

深紫外发光二极管 [P].

郑锦坚 ;

毕京锋 ;

高默然 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN215118929U ,2021-12-10

[6]

深紫外发光二极管 [P].

张毅 ;

卓昌正 ;

张骏 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN120835639A ,2025-10-24

[7]

深紫外发光二极管器件 [P].

张爽 ;

戴江南 ;

陈长清 .

中国专利 :CN222621533U ,2025-03-14

[8]

深紫外发光二极管器件 [P].

张爽 ;

罗红波 ;

李红霞 ;

郑志强 ;

张顺 ;

张会雪 .

中国专利 :CN117995957A ,2024-05-07

[9]

一种深紫外发光二极管封装结构 [P].

闫志超 ;

黄小辉 ;

李大超 .

中国专利 :CN215451410U ,2022-01-07

[10]

一种深紫外发光二极管封装结构 [P].

陆振东 ;

闫志超 ;

黄小辉 ;

李大超 .

中国专利 :CN215896434U ,2022-02-22

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