外加电场辅助GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910866932.7

申请日：

2019-09-12

公开(公告)号：

CN110610838B

公开(公告)日：

2019-12-24

发明(设计)人：

刘磊陆菲菲田健张杨星月

申请人：

申请人地址：

210094 江苏省南京市孝陵卫200号

IPC主分类号：

H01J134

IPC分类号：

H01J912 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

南京理工大学专利中心 32203

代理人：

唐代盛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-24	公开	公开
2021-08-03	授权	授权
2020-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/34 申请日:20190912

共 50 条

[11]

一种具有超晶格纳米线结构的GaN光电阴极 [P].

王晓晖 ;

王振营 ;

张翔 ;

班启沛 ;

张世博 .

中国专利 :CN113571390A ,2021-10-29

[12]

光电阴极、电子管及电场辅助型光电阴极、阵列、电子管 [P].

新垣实 ;

广畑彻 ;

藤原弘康 ;

樋口彰 .

中国专利 :CN101101840A ,2008-01-09

[13]

透射式电场辅助光电阴极 [P].

唐光华 ;

戴丽英 ;

钟伟俊 ;

徐汉成 ;

申屠军 ;

李拂晓 .

中国专利 :CN102891190A ,2013-01-23

[14]

基于GaN纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法 [P].

宋志成 ;

郭辉 ;

黄海栗 ;

苗东铭 ;

胡彦飞 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104638031A ,2015-05-20

[15]

一种核壳GaN纳米线阵列的制备方法 [P].

康云龙 ;

王现英 .

中国专利 :CN108394857A ,2018-08-14

[16]

一种大规模GaN纳米线阵列的制备方法 [P].

王现英 ;

康云龙 ;

王丁 ;

杨俊和 .

中国专利 :CN108441943A ,2018-08-24

[17]

纳米线阵列的雕刻方法及纳米线阵列 [P].

程春 ;

石润 ;

刘世源 ;

陈鹏程 ;

欧阳文开 ;

陈宏 ;

张亮 .

中国专利 :CN107112234A ,2017-08-29

[18]

纳米阵列结构AlGaAs光电阴极及其制备方法 [P].

张益军 ;

唐嵩 ;

李诗曼 ;

王东智 ;

王自衡 ;

王麒铭 ;

张锴珉 ;

钱芸生 .

中国专利 :CN115050620A ,2022-09-13

[19]

一种NEA‑GaAs纳米锥阵列光电阴极及制备方法 [P].

刘磊 ;

冯澍 ;

刁煜 ;

夏斯浩 ;

陆菲菲 .

中国专利 :CN107818900A ,2018-03-20

[20]

制备笋形GaN纳米线的方法 [P].

李恩玲 ;

宋莎 ;

马德明 .

中国专利 :CN103641081B ,2014-03-19

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