外加电场辅助GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910866932.7

申请日：

2019-09-12

公开(公告)号：

CN110610838B

公开(公告)日：

2019-12-24

发明(设计)人：

刘磊陆菲菲田健张杨星月

申请人：

申请人地址：

210094 江苏省南京市孝陵卫200号

IPC主分类号：

H01J134

IPC分类号：

H01J912 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

南京理工大学专利中心 32203

代理人：

唐代盛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-24	公开	公开
2021-08-03	授权	授权
2020-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/34 申请日:20190912

共 50 条

[41]

垂直衬底纳米线阵列的制备方法 [P].

武光明 ;

邢光建 ;

张志乾 ;

丁尧 .

中国专利 :CN102442637A ,2012-05-09

[42]

一种形成有机纳米线阵列的方法及有机纳米线阵列 [P].

许金友 ;

赵子豪 ;

王兴宇 ;

廖记辉 ;

张玲玉 ;

宋健 ;

宋佳迅 ;

周国富 .

中国专利 :CN113913744A ,2022-01-11

[43]

多层结构纳米线阵列及其制备方法 [P].

任山 ;

吴起白 ;

许宁生 ;

陈军 .

中国专利 :CN1872660A ,2006-12-06

[44]

钙钛矿纳米线阵列及其制备方法、光电探测器 [P].

夏从新 ;

葛亚龙 ;

张随财 ;

于雷鸣 ;

蒋玉荣 ;

宋孝辉 .

中国专利 :CN117580417A ,2024-02-20

[45]

一种铜纳米线制备方法及铜纳米线复合透明导电薄膜 [P].

刘萍 ;

王亚雄 ;

曾葆青 ;

刘黎明 ;

杨健君 .

中国专利 :CN108695014A ,2018-10-23

[46]

一种多功能中间层修饰的硅基纳米线光电阴极及制备方法 [P].

陈治伟 ;

时文祥 ;

王鑫雨 ;

李威 ;

李淼涛 ;

尤杰 ;

刘璋成 ;

王霄 ;

李杨 ;

敖金平 .

中国专利 :CN119372698A ,2025-01-28

[47]

金属折点纳米线阵列的制备方法及其金属折点纳米线阵列 [P].

陈云 ;

陈新 ;

麦锡全 ;

刘强 ;

高健 ;

高波 .

中国专利 :CN107777659A ,2018-03-09

[48]

一种GaN基异质结构纳米线及其制备方法 [P].

仇志军 ;

叶怀宇 ;

张国旗 .

中国专利 :CN112002632A ,2020-11-27

[49]

一种Mg掺杂GaN纳米线结构的制备方法 [P].

王如志 ;

杨孟骐 ;

梁琦 ;

严辉 ;

张铭 ;

王波 ;

王长昊 .

中国专利 :CN111206236B ,2020-05-29

[50]

一种GaN水平纳米线电子器件制备方法 [P].

何苗 ;

王志成 ;

丛海云 ;

郑树文 .

中国专利 :CN107195586A ,2017-09-22

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