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外加电场辅助GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910866932.7
申请日：
2019-09-12
公开(公告)号：
CN110610838B
公开(公告)日：
2019-12-24
发明(设计)人：
刘磊
陆菲菲
田健
张杨星月
申请人：
申请人地址：
210094 江苏省南京市孝陵卫200号
IPC主分类号：
H01J134
IPC分类号：
H01J912
B82Y3000
B82Y4000
代理机构：
南京理工大学专利中心 32203
代理人：
唐代盛
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-12-24 | 公开 | 公开 |
| 2021-08-03 | 授权 | 授权 |
| 2020-01-17 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/34 申请日:20190912 |