一种形貌可控的GaN纳米线阵列的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810377638.5

申请日：

2018-04-25

公开(公告)号：

CN108598238A

公开(公告)日：

2018-09-28

发明(设计)人：

柴旭朝焦岳超孙俊瞿博阳张朋周同驰方向前

申请人：

申请人地址：

450000 河南省郑州市中原区中原中路41号

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3300 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104

代理人：

时立新;付艳丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-18	授权	授权
2018-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20180425
2022-04-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20180425 授权公告日:20190618 终止日期:20210425
2018-09-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种核壳GaN纳米线阵列的制备方法 [P].

康云龙 ;

王现英 .

中国专利 :CN108394857A ,2018-08-14

[2]

一种大规模GaN纳米线阵列的制备方法 [P].

王现英 ;

康云龙 ;

王丁 ;

杨俊和 .

中国专利 :CN108441943A ,2018-08-24

[3]

GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线 [P].

刘志强 ;

闫岩 ;

张硕 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN115369379A ,2022-11-22

[4]

GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线 [P].

刘志强 ;

闫岩 ;

张硕 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN115369379B ,2024-05-03

[5]

一种可控硅纳米线阵列的制备方法 [P].

狄增峰 ;

陈龙 ;

魏星 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN103208413A ,2013-07-17

[6]

一种制备GaN纳米线的方法 [P].

李恩玲 ;

戴元滨 ;

朱红 ;

侯利平 ;

王喜强 .

中国专利 :CN101863458A ,2010-10-20

[7]

平行衬底纳米线阵列的可控制备方法 [P].

武光明 ;

邢光建 ;

周洋 .

中国专利 :CN102491262A ,2012-06-13

[8]

一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法 [P].

罗林保 ;

揭建胜 ;

聂彪 ;

吴春艳 ;

于永强 .

中国专利 :CN102556949A ,2012-07-11

[9]

一种纳米线阵列的制备方法 [P].

李群庆 ;

金元浩 ;

范守善 .

中国专利 :CN105668540A ,2016-06-15

[10]

一种MPCVD制备GaN纳米线的方法 [P].

王如志 ;

姬宇航 ;

李瑞 ;

严辉 ;

张铭 ;

王波 ;

宋雪梅 .

中国专利 :CN107699863B ,2018-02-16

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