对聚合材料具有增强的附着力的半导体器件保护层及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01123308.7

申请日：

2001-06-13

公开(公告)号：

CN1331492A

公开(公告)日：

2002-01-16

发明(设计)人：

L·S·史万森 E·G·雅各布斯

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯州

IPC主分类号：

H01L2358

IPC分类号：

H01L21314

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

洪玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-01-16	公开	公开
2004-03-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

有增强附着力的金属保护层的高反射镜及其制造方法 [P].

甘国工 .

中国专利 :CN1527071A ,2004-09-08

[2]

功率半导体器件的保护层及其制造方法 [P].

范雨婷 ;

干超 ;

曾大杰 ;

肖胜安 .

中国专利 :CN118263193A ,2024-06-28

[3]

有增强附着力的金属保护层的高反射镜 [P].

甘国工 .

中国专利 :CN2641667Y ,2004-09-15

[4]

对膜的附着力增强的基板 [P].

E·C·斯科鲁普斯基 ;

J·T·格雷 ;

J·A·安德雷萨基斯 ;

W·赫里克 .

中国专利 :CN1505918A ,2004-06-16

[5]

具有改进的金属化附着力的半导体结构及其制造方法 [P].

A·卡穆斯 .

中国专利 :CN105514147A ,2016-04-20

[6]

半导体器件用的保护层 [P].

米泰克·巴考斯基 ;

克里斯托弗·哈里斯 ;

简·斯米迪特 .

中国专利 :CN1373902A ,2002-10-09

[7]

增强热镀锌层附着力的装置 [P].

刘玉金 ;

刘家祥 .

中国专利 :CN202246819U ,2012-05-30

[8]

用于制造针对氢氟酸蚀刻的保护层的方法、设置有该保护层的半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P].

S·洛萨 ;

R·佩祖托 ;

R·坎佩代利 ;

M·阿兹佩提亚乌尔奎亚 ;

M·珀尔提 ;

L·埃斯波西托 .

中国专利 :CN104053626B ,2014-09-17

[9]

半导体器件的制造方法 [P].

魏莹璐 ;

何学缅 .

中国专利 :CN100590815C ,2009-01-28

[10]

半导体器件的制造方法 [P].

吴金刚 ;

高关且 ;

高大为 ;

罗飞 .

中国专利 :CN101079376A ,2007-11-28

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