金属氧化膜的形成方法、金属氧化膜及光学电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680038929.7

申请日：

2006-10-18

公开(公告)号：

CN101291876A

公开(公告)日：

2008-10-22

发明(设计)人：

斋藤光央奥村智洋森田敦

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C01B3312

IPC分类号：

C01B1332 C23C1640 H01L21316

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李贵亮

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2008-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化膜的形成方法和金属氧化膜 [P].

永绳智史 ;

近藤健 .

中国专利 :CN102282099A ,2011-12-14

[2]

金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法 [P].

小林直贵 ;

长町伸宏 ;

郡大佑 .

日本专利 :CN117363058B ,2025-09-26

[3]

金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法 [P].

小林直贵 ;

长町伸宏 ;

郡大佑 .

日本专利 :CN117363058A ,2024-01-09

[4]

金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法 [P].

小林直贵 ;

郡大佑 ;

佐藤裕典 ;

矢野俊治 .

日本专利 :CN117024997B ,2025-06-13

[5]

金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法 [P].

小林直贵 ;

郡大佑 ;

矢野俊治 .

日本专利 :CN116694114B ,2025-06-13

[6]

金属氧化膜的成膜 [P].

古屋治彦 .

中国专利 :CN101302608A ,2008-11-12

[7]

金属氧化膜的形成方法 [P].

小柳贤一 ;

佐久间浩 .

中国专利 :CN100364067C ,2004-10-06

[8]

金属氧化膜的成膜方法、金属氧化膜及金属氧化膜的成膜装置 [P].

织田容征 ;

白幡孝洋 ;

吉田章男 ;

藤田静雄 ;

亀山直季 .

中国专利 :CN102405305A ,2012-04-04

[9]

金属氧化膜的成膜方法、金属氧化膜及金属氧化膜的成膜装置 [P].

织田容征 ;

白幡孝洋 ;

吉田章男 ;

藤田静雄 ;

龟山直季 ;

川原村敏幸 .

中国专利 :CN102482777B ,2012-05-30

[10]

金属氧化膜的成膜方法、氧化锰膜的成膜方法及计算机可读取存储介质 [P].

根石浩司 ;

小池淳一 ;

松本贤治 .

中国专利 :CN102648513A ,2012-08-22

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