金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202310824185.7
申请日
2023-07-06
公开(公告)号
CN117363058B
公开(公告)日
2025-09-26
发明(设计)人
小林直贵 长町伸宏 郡大佑
申请人
信越化学工业株式会社
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C09D1/00
IPC分类号
G03F7/20 G03F7/30 C09D7/63
代理机构
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人
刘新宇;李茂家
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法 [P]. 
小林直贵 ;
长町伸宏 ;
郡大佑 .
日本专利 :CN117363058A ,2024-01-09
[2]
金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法 [P]. 
小林直贵 ;
郡大佑 ;
佐藤裕典 ;
矢野俊治 .
日本专利 :CN117024997B ,2025-06-13
[3]
金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法 [P]. 
小林直贵 ;
郡大佑 ;
矢野俊治 .
日本专利 :CN116694114B ,2025-06-13
[4]
含金属的膜形成用组成物、图案形成方法 [P]. 
小林直贵 ;
石绵健汰 ;
郡大佑 ;
长町伸宏 .
日本专利 :CN119781245A ,2025-04-08
[5]
含金属的膜形成用组成物及图案形成方法 [P]. 
小林直贵 ;
石绵健汰 ;
长町伸宏 ;
岩森颂平 ;
郡大佑 .
日本专利 :CN119105234A ,2024-12-10
[6]
含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法 [P]. 
岩森颂平 ;
小林直贵 ;
郡大佑 ;
石绵健汰 .
日本专利 :CN119528966A ,2025-02-28
[7]
金属氧化膜的形成方法 [P]. 
小柳贤一 ;
佐久间浩 .
中国专利 :CN100364067C ,2004-10-06
[8]
金属氧化膜的形成方法和金属氧化膜 [P]. 
永绳智史 ;
近藤健 .
中国专利 :CN102282099A ,2011-12-14
[9]
有机膜形成用组成物、有机膜形成方法及图案形成方法 [P]. 
郡大佑 ;
山本靖之 .
日本专利 :CN120554798A ,2025-08-29
[10]
有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、及图案形成方法 [P]. 
新井田惠介 ;
山本靖之 .
日本专利 :CN120315248A ,2025-07-15