金属氧化膜的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410031392.4

申请日：

2004-03-26

公开(公告)号：

CN100364067C

公开(公告)日：

2004-10-06

发明(设计)人：

小柳贤一佐久间浩

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

王维玉;武玉琴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-10-06	公开	公开
2016-05-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101660480557 IPC(主分类):H01L 21/316 专利号:ZL2004100313924 申请日:20040326 授权公告日:20080123 终止日期:20150326
2006-04-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-01-23	授权	授权
2013-09-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101660651508 IPC(主分类):H01L 21/316 专利号:ZL2004100313924 变更事项:专利权人变更前权利人:尔必达存储器株式会社变更后权利人:PS4拉斯口有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:卢森堡卢森堡市登记生效日:20130828

共 50 条

[1]

金属氧化膜的形成方法和金属氧化膜 [P].

永绳智史 ;

近藤健 .

中国专利 :CN102282099A ,2011-12-14

[2]

金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法 [P].

小林直贵 ;

长町伸宏 ;

郡大佑 .

日本专利 :CN117363058B ,2025-09-26

[3]

金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法 [P].

小林直贵 ;

长町伸宏 ;

郡大佑 .

日本专利 :CN117363058A ,2024-01-09

[4]

金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法 [P].

小林直贵 ;

郡大佑 ;

矢野俊治 .

日本专利 :CN116694114B ,2025-06-13

[5]

金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法 [P].

小林直贵 ;

郡大佑 ;

佐藤裕典 ;

矢野俊治 .

日本专利 :CN117024997B ,2025-06-13

[6]

金属氧化膜的形成方法、金属氧化膜及光学电子设备 [P].

斋藤光央 ;

奥村智洋 ;

森田敦 .

中国专利 :CN101291876A ,2008-10-22

[7]

氧化膜形成方法 [P].

菱屋晋吾 ;

秋山浩二 ;

古泽纯和 ;

青木公也 .

中国专利 :CN1518760A ,2004-08-04

[8]

金属氧化膜的成膜方法、金属氧化膜及金属氧化膜的成膜装置 [P].

织田容征 ;

白幡孝洋 ;

吉田章男 ;

藤田静雄 ;

亀山直季 .

中国专利 :CN102405305A ,2012-04-04

[9]

金属氧化膜的成膜方法、金属氧化膜及金属氧化膜的成膜装置 [P].

织田容征 ;

白幡孝洋 ;

吉田章男 ;

藤田静雄 ;

龟山直季 ;

川原村敏幸 .

中国专利 :CN102482777B ,2012-05-30

[10]

金属氧化膜的成膜装置、金属氧化膜的制造方法及金属氧化膜 [P].

白幡孝洋 ;

织田容征 ;

吉田章男 ;

藤田静雄 ;

川原村敏幸 .

中国专利 :CN102918178B ,2013-02-06

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