原子层沉积镀膜设备

被引：0

申请号：

CN202122995533.6

申请日：

2021-11-30

公开(公告)号：

CN216404534U

公开(公告)日：

2022-04-29

发明(设计)人：

陈文翰乌磊李哲峰

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区新安街道兴东社区群辉路3号优创空间2号楼429

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

C23C1650

代理机构：

深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314

代理人：

沈红曼

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	授权	授权

共 50 条

[1]

原子层沉积镀膜设备 [P].

陈文翰 ;

李哲峰 .

中国专利 :CN216404533U ,2022-04-29

[2]

原子层沉积镀膜设备 [P].

莫姗 ;

秦志勇 ;

杨启忠 .

中国专利 :CN223373223U ,2025-09-23

[3]

一种原子层沉积镀膜设备 [P].

李宇晗 ;

邵大立 ;

逄效伟 ;

周翔 ;

刘国庆 ;

魏静仪 ;

陈扬 ;

夏智星 ;

齐彪 ;

史皓然 ;

马敬忠 .

中国专利 :CN223061078U ,2025-07-04

[4]

原子层沉积镀膜设备及其电感耦合线圈 [P].

陈文翰 ;

李哲峰 .

中国专利 :CN216562718U ,2022-05-17

[5]

原子沉积镀膜设备 [P].

陈文翰 ;

乌磊 ;

刘磊 ;

李哲峰 .

中国专利 :CN216550694U ,2022-05-17

[6]

原子层沉积设备 [P].

王祥慧 .

中国专利 :CN204080104U ,2015-01-07

[7]

一种原子层沉积镀膜设备 [P].

魏晓庆 ;

秦志勇 ;

谢雄星 .

中国专利 :CN118621301A ,2024-09-10

[8]

一种原子层沉积镀膜设备 [P].

魏晓庆 ;

秦志勇 ;

谢雄星 .

中国专利 :CN118621301B ,2024-11-12

[9]

一种支架和原子层沉积镀膜设备 [P].

魏晓庆 ;

蓝芝江 ;

李硕 .

中国专利 :CN216864319U ,2022-07-01

[10]

原子层沉积镀膜方法 [P].

陈桉苡 ;

刘安徽 ;

黄俊凯 ;

叶昌鑫 ;

郑博鸿 .

中国专利 :CN118685760A ,2024-09-24

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