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一种原子层沉积镀膜设备
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202422343779.9
申请日
:
2024-09-25
公开(公告)号
:
CN223061078U
公开(公告)日
:
2025-07-04
发明(设计)人
:
李宇晗
邵大立
逄效伟
周翔
刘国庆
魏静仪
陈扬
夏智星
齐彪
史皓然
马敬忠
申请人
:
杭州星原驰半导体有限公司
申请人地址
:
311222 浙江省杭州市钱塘区河庄街道东围路599号博潮城8号厂房
IPC主分类号
:
C23C16/455
IPC分类号
:
C23C16/52
H10K71/10
代理机构
:
杭州运酬专利代理事务所(特殊普通合伙) 33429
代理人
:
王叶娟
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-07-04
授权
授权
共 50 条
[1]
原子层沉积镀膜设备
[P].
陈文翰
论文数:
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陈文翰
;
李哲峰
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李哲峰
.
中国专利
:CN216404533U
,2022-04-29
[2]
原子层沉积镀膜设备
[P].
陈文翰
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陈文翰
;
乌磊
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乌磊
;
李哲峰
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李哲峰
.
中国专利
:CN216404534U
,2022-04-29
[3]
原子层沉积镀膜设备
[P].
莫姗
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光驰半导体技术(上海)有限公司
光驰半导体技术(上海)有限公司
莫姗
;
秦志勇
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机构:
光驰半导体技术(上海)有限公司
光驰半导体技术(上海)有限公司
秦志勇
;
杨启忠
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机构:
光驰半导体技术(上海)有限公司
光驰半导体技术(上海)有限公司
杨启忠
.
中国专利
:CN223373223U
,2025-09-23
[4]
一种原子层沉积镀膜设备
[P].
魏晓庆
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光驰半导体技术(上海)有限公司
光驰半导体技术(上海)有限公司
魏晓庆
;
秦志勇
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光驰半导体技术(上海)有限公司
光驰半导体技术(上海)有限公司
秦志勇
;
谢雄星
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机构:
光驰半导体技术(上海)有限公司
光驰半导体技术(上海)有限公司
谢雄星
.
中国专利
:CN118621301A
,2024-09-10
[5]
一种原子层沉积镀膜设备
[P].
魏晓庆
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光驰半导体技术(上海)有限公司
光驰半导体技术(上海)有限公司
魏晓庆
;
秦志勇
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光驰半导体技术(上海)有限公司
光驰半导体技术(上海)有限公司
秦志勇
;
谢雄星
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机构:
光驰半导体技术(上海)有限公司
光驰半导体技术(上海)有限公司
谢雄星
.
中国专利
:CN118621301B
,2024-11-12
[6]
一种支架和原子层沉积镀膜设备
[P].
魏晓庆
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魏晓庆
;
蓝芝江
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蓝芝江
;
李硕
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李硕
.
中国专利
:CN216864319U
,2022-07-01
[7]
原子层沉积设备
[P].
曹建伟
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
曹建伟
;
朱凌锋
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
朱凌锋
;
陈培杰
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
陈培杰
;
胡汉彦
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
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胡汉彦
;
罗丹
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
罗丹
;
张华敏
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
张华敏
;
刘海博
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
刘海博
.
中国专利
:CN221480068U
,2024-08-06
[8]
一种原子层沉积镀膜装置
[P].
吴其松
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吴其松
.
中国专利
:CN204849020U
,2015-12-09
[9]
一种原子层沉积镀膜装置
[P].
卢青
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卢青
;
周文斌
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周文斌
;
任国璐
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任国璐
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盛嫦娥
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盛嫦娥
;
曹云岭
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曹云岭
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沈倩
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沈倩
;
徐超
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徐超
;
孙剑
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孙剑
;
高裕弟
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高裕弟
.
中国专利
:CN216514118U
,2022-05-13
[10]
原子层沉积镀膜设备及其电感耦合线圈
[P].
陈文翰
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陈文翰
;
李哲峰
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李哲峰
.
中国专利
:CN216562718U
,2022-05-17
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