半导体用氟表面蚀刻液及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710025771.6

申请日：

2007-08-06

公开(公告)号：

CN100516305C

公开(公告)日：

2008-02-27

发明(设计)人：

戈士勇

申请人：

申请人地址：

214423江苏省江阴市周庄镇欧洲工业园区常青北路1号

IPC主分类号：

C23F124

IPC分类号：

代理机构：

江阴市同盛专利事务所

代理人：

唐纫兰

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23F 1/24 申请日:20070806 授权公告日:20090722 终止日期:20180806
2009-07-22	授权	授权
2012-10-17	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101456353247 IPC(主分类):C23F 1/24 专利号:ZL2007100257716 变更事项:专利权人变更前:江阴市润玛电子材料有限公司变更后:江阴润玛电子材料股份有限公司变更事项:地址变更前:214423 江苏省江阴市周庄镇欧洲工业园区常青北路1号变更后:214423 江苏省江阴市周庄镇欧洲工业园区常青北路1号
2008-02-27	公开	公开
2008-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体用氟表面蚀刻液生产装置 [P].

戈士勇 .

中国专利 :CN201768554U ,2011-03-23

[2]

一种半导体用BOE蚀刻液及其制备方法 [P].

童晨 ;

吴海燕 ;

陈桂红 ;

孙元 ;

韩成强 .

中国专利 :CN115368900A ,2022-11-22

[3]

钛蚀刻液及其制备方法和在半导体陶瓷板表面处理的应用 [P].

刘纪有 ;

饶猛 ;

夏金良 ;

莫庆生 ;

赵子俊 .

中国专利 :CN119287373A ,2025-01-10

[4]

一种半导体电镀液及其制备方法 [P].

周桓民 ;

黄畅佳 ;

朱德健 .

中国专利 :CN119287461A ,2025-01-10

[5]

一种半导体陶瓷板薄铜蚀刻液及其制备方法 [P].

刘纪有 ;

钟建聪 ;

广沢巴洲 ;

曾江文 ;

成世斌 ;

李峰 .

中国专利 :CN119876954A ,2025-04-25

[6]

一种半导体用酸性钛钨蚀刻液 [P].

陈浩 ;

李华平 ;

王润杰 .

中国专利 :CN113802120A ,2021-12-17

[7]

一种半导体用BOE蚀刻液制备装置及其制备方法 [P].

童晨 ;

吴海燕 ;

韩成强 ;

孙元 ;

陈桂红 .

中国专利 :CN114504970A ,2022-05-17

[8]

半导体用铜蚀刻液及其在旋转喷淋工艺中的应用 [P].

贺兆波 ;

万杨阳 ;

叶瑞 ;

尹印 ;

路明 ;

陈麒 ;

余迪 ;

张庭 ;

臧洋 ;

孟牧麟 ;

王亮 .

中国专利 :CN117721467A ,2024-03-19

[9]

一种半导体用BOE蚀刻液制备装置 [P].

童晨 ;

吴海燕 ;

陈桂红 ;

孙元 ;

韩成强 .

中国专利 :CN115430327A ,2022-12-06

[10]

一种半导体用选择性电化学硅蚀刻液及蚀刻方法 [P].

秦祥 ;

李少平 ;

贺兆波 ;

叶瑞 ;

余迪 .

中国专利 :CN118308110A ,2024-07-09

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