一种半导体用BOE蚀刻液制备装置

被引：0

申请号：

CN202211068497.1

申请日：

2022-09-02

公开(公告)号：

CN115430327A

公开(公告)日：

2022-12-06

发明(设计)人：

童晨吴海燕陈桂红孙元韩成强

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市昆山市千灯镇致威路259号

IPC主分类号：

B01F2983

IPC分类号：

B01F2990 B01F2981 B01F3512 B01F10158

代理机构：

北京维正专利代理有限公司 11508

代理人：

何佑英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-06	公开	公开
2022-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01F 29/83 申请日:20220902

共 50 条

[1]

一种半导体用BOE蚀刻液制备装置及其制备方法 [P].

童晨 ;

吴海燕 ;

韩成强 ;

孙元 ;

陈桂红 .

中国专利 :CN114504970A ,2022-05-17

[2]

一种半导体用低浓度BOE蚀刻液制备装置 [P].

王航帅 ;

舒宇帆 ;

彭晓晖 ;

潘美华 .

中国专利 :CN222805019U ,2025-04-29

[3]

一种半导体用BOE蚀刻液及其制备方法 [P].

童晨 ;

吴海燕 ;

陈桂红 ;

孙元 ;

韩成强 .

中国专利 :CN115368900A ,2022-11-22

[4]

一种半导体用BOE混合设备 [P].

童晨 ;

吴海燕 ;

韩成强 ;

孙元 ;

陈桂红 .

中国专利 :CN217093077U ,2022-08-02

[5]

一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置 [P].

何珂 ;

戈烨铭 ;

汤晓春 .

中国专利 :CN215277239U ,2021-12-24

[6]

一种半导体BOE蚀刻液、其制备方法和应用 [P].

侯军 ;

武文东 ;

赵晓莹 ;

杨茂森 ;

任洁 ;

田继升 ;

罗鹏旭 .

中国专利 :CN119432384A ,2025-02-14

[7]

一种半导体BOE蚀刻液、其制备方法及用途 [P].

侯军 ;

武文东 ;

赵晓莹 ;

杨茂森 ;

任洁 .

中国专利 :CN117821069A ,2024-04-05

[8]

半导体用氟表面蚀刻液生产装置 [P].

戈士勇 .

中国专利 :CN201768554U ,2011-03-23

[9]

半导体用氟表面蚀刻液及其制备方法 [P].

戈士勇 .

中国专利 :CN100516305C ,2008-02-27

[10]

一种半导体用酸性钛钨蚀刻液 [P].

陈浩 ;

李华平 ;

王润杰 .

中国专利 :CN113802120A ,2021-12-17

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