一种半导体用低浓度BOE蚀刻液制备装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420521472.0

申请日：

2024-03-18

公开(公告)号：

CN222805019U

公开(公告)日：

2025-04-29

发明(设计)人：

王航帅舒宇帆彭晓晖潘美华

申请人：

浙江森田新材料有限公司

申请人地址：

321200 浙江省金华市武义县熟溪街道青年路188号

IPC主分类号：

B01F27/90

IPC分类号：

B01F35/92 B01F35/00 B01F35/60

代理机构：

杭州新泽知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33311

代理人：

管宾

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省金华市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-29	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体用BOE蚀刻液制备装置 [P].

童晨 ;

吴海燕 ;

陈桂红 ;

孙元 ;

韩成强 .

中国专利 :CN115430327A ,2022-12-06

[2]

一种半导体用BOE蚀刻液制备装置及其制备方法 [P].

童晨 ;

吴海燕 ;

韩成强 ;

孙元 ;

陈桂红 .

中国专利 :CN114504970A ,2022-05-17

[3]

一种半导体用BOE蚀刻液及其制备方法 [P].

童晨 ;

吴海燕 ;

陈桂红 ;

孙元 ;

韩成强 .

中国专利 :CN115368900A ,2022-11-22

[4]

一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置 [P].

何珂 ;

戈烨铭 ;

汤晓春 .

中国专利 :CN215277239U ,2021-12-24

[5]

半导体用氟表面蚀刻液生产装置 [P].

戈士勇 .

中国专利 :CN201768554U ,2011-03-23

[6]

一种半导体BOE蚀刻液、其制备方法和应用 [P].

侯军 ;

武文东 ;

赵晓莹 ;

杨茂森 ;

任洁 ;

田继升 ;

罗鹏旭 .

中国专利 :CN119432384A ,2025-02-14

[7]

一种半导体BOE蚀刻液、其制备方法及用途 [P].

侯军 ;

武文东 ;

赵晓莹 ;

杨茂森 ;

任洁 .

中国专利 :CN117821069A ,2024-04-05

[8]

一种半导体用BOE混合设备 [P].

童晨 ;

吴海燕 ;

韩成强 ;

孙元 ;

陈桂红 .

中国专利 :CN217093077U ,2022-08-02

[9]

半导体用氟表面蚀刻液及其制备方法 [P].

戈士勇 .

中国专利 :CN100516305C ,2008-02-27

[10]

一种半导体用酸性钛钨蚀刻液 [P].

陈浩 ;

李华平 ;

王润杰 .

中国专利 :CN113802120A ,2021-12-17

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