一种半导体用BOE蚀刻液及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211068506.7

申请日：

2022-09-02

公开(公告)号：

CN115368900A

公开(公告)日：

2022-11-22

发明(设计)人：

童晨吴海燕陈桂红孙元韩成强

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市昆山市千灯镇致威路259号

IPC主分类号：

C09K1310

IPC分类号：

C09C144 C09C308 C09C312

代理机构：

北京维正专利代理有限公司 11508

代理人：

何佑英

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-22	公开	公开
2022-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/10 申请日:20220902

共 50 条

[1]

一种半导体用BOE蚀刻液制备装置及其制备方法 [P].

童晨 ;

吴海燕 ;

韩成强 ;

孙元 ;

陈桂红 .

中国专利 :CN114504970A ,2022-05-17

[2]

一种半导体用BOE蚀刻液制备装置 [P].

童晨 ;

吴海燕 ;

陈桂红 ;

孙元 ;

韩成强 .

中国专利 :CN115430327A ,2022-12-06

[3]

一种半导体BOE蚀刻液、其制备方法及用途 [P].

侯军 ;

武文东 ;

赵晓莹 ;

杨茂森 ;

任洁 .

中国专利 :CN117821069A ,2024-04-05

[4]

一种半导体用低浓度BOE蚀刻液制备装置 [P].

王航帅 ;

舒宇帆 ;

彭晓晖 ;

潘美华 .

中国专利 :CN222805019U ,2025-04-29

[5]

半导体用氟表面蚀刻液及其制备方法 [P].

戈士勇 .

中国专利 :CN100516305C ,2008-02-27

[6]

一种半导体BOE蚀刻液、其制备方法和应用 [P].

侯军 ;

武文东 ;

赵晓莹 ;

杨茂森 ;

任洁 ;

田继升 ;

罗鹏旭 .

中国专利 :CN119432384A ,2025-02-14

[7]

一种BOE蚀刻液的制备方法 [P].

王海 ;

田志扬 ;

张晓东 ;

潘绍忠 ;

张学良 ;

韩虹羽 ;

魏俊明 .

中国专利 :CN103756680A ,2014-04-30

[8]

一种BOE蚀刻液 [P].

夏明鹏 ;

鄢艳华 ;

姜希松 .

中国专利 :CN119614202A ,2025-03-14

[9]

一种半导体元件蚀刻液及其制备方法 [P].

郑春秋 .

中国专利 :CN105513955A ,2016-04-20

[10]

一种BOE蚀刻液 [P].

鄢艳华 ;

夏明鹏 ;

姜希松 ;

周达文 .

中国专利 :CN118048156A ,2024-05-17

← 1 2 3 4 5 →