半导体用铜蚀刻液及其在旋转喷淋工艺中的应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311420767.5

申请日：

2023-10-30

公开(公告)号：

CN117721467A

公开(公告)日：

2024-03-19

发明(设计)人：

贺兆波万杨阳叶瑞尹印路明陈麒余迪张庭臧洋孟牧麟王亮

申请人：

湖北兴福电子材料股份有限公司

申请人地址：

443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号

IPC主分类号：

C23F1/18

IPC分类号：

代理机构：

宜昌市三峡专利事务所 42103

代理人：

成钢

法律状态：

公开

国省代码：

湖北省宜昌市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-19	公开	公开
2024-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23F 1/18申请日:20231030

共 50 条

[1]

一种半导体封装用铜蚀刻液及蚀刻方法 [P].

王磊 ;

承明忠 ;

李森虎 ;

符佳立 ;

朱龙 ;

孔兴贤 .

中国专利 :CN115786915B ,2025-01-03

[2]

半导体用氟表面蚀刻液及其制备方法 [P].

戈士勇 .

中国专利 :CN100516305C ,2008-02-27

[3]

一种铜/钼蚀刻液组合物及其应用 [P].

吴豪旭 ;

赵芬利 ;

梅园 .

中国专利 :CN109082663A ,2018-12-25

[4]

铜钼金属蚀刻液及其应用 [P].

郭前程 .

中国专利 :CN113667979A ,2021-11-19

[5]

半导体用氟表面蚀刻液生产装置 [P].

戈士勇 .

中国专利 :CN201768554U ,2011-03-23

[6]

一种半导体陶瓷板薄铜蚀刻液及其制备方法 [P].

刘纪有 ;

钟建聪 ;

广沢巴洲 ;

曾江文 ;

成世斌 ;

李峰 .

中国专利 :CN119876954A ,2025-04-25

[7]

一种半导体用酸性钛钨蚀刻液 [P].

陈浩 ;

李华平 ;

王润杰 .

中国专利 :CN113802120A ,2021-12-17

[8]

铜蚀刻液、铜蚀刻液的制备方法及其应用 [P].

郭世豪 ;

王钦 ;

张丁山 ;

虞成城 .

中国专利 :CN118600426A ,2024-09-06

[9]

一种铜/钼蚀刻液组合物及其应用 [P].

吴豪旭 ;

赵芬利 ;

梅园 .

中国专利 :CN108950557A ,2018-12-07

[10]

钛蚀刻液及其制备方法和在半导体陶瓷板表面处理的应用 [P].

刘纪有 ;

饶猛 ;

夏金良 ;

莫庆生 ;

赵子俊 .

中国专利 :CN119287373A ,2025-01-10

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