半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610002481.5

申请日：

2006-01-26

公开(公告)号：

CN100485930C

公开(公告)日：

2006-11-01

发明(设计)人：

上田岳洋

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L23525 G11C2900

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

孙志湧;陆锦华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-11-01	公开	公开
2006-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-12-29	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101057786713 IPC(主分类):H01L 27/02 专利号:ZL2006100024815 变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本神奈川县
2015-03-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101602904314 IPC(主分类):H01L 27/02 专利号:ZL2006100024815 申请日:20060126 授权公告日:20090506 终止日期:20140126
2009-05-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

上田岳洋 .

中国专利 :CN1815624A ,2006-08-09

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

肱冈健一郎 ;

久米一平 ;

井上尚也 ;

白井浩树 ;

川原润 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN102254916B ,2011-11-23

[3]

半导体器件 [P].

林根元 ;

白石千 ;

千志成 ;

辛宗祐 ;

崔凤贤 .

韩国专利 :CN110400800B ,2025-04-04

[4]

半导体器件 [P].

薮内诚 ;

田中信二 .

日本专利 :CN111341364B ,2024-11-22

[5]

半导体器件 [P].

塚本惠介 .

中国专利 :CN102623483A ,2012-08-01

[6]

半导体器件 [P].

伊东丰二 .

中国专利 :CN1677676A ,2005-10-05

[7]

半导体器件 [P].

中村正行 ;

宫沢一幸 ;

岩井秀俊 .

中国专利 :CN1051644C ,1996-08-14

[8]

半导体器件 [P].

林根元 ;

白石千 ;

千志成 ;

辛宗祐 ;

崔凤贤 .

中国专利 :CN110400800A ,2019-11-01

[9]

半导体器件 [P].

薮内诚 ;

田中信二 .

中国专利 :CN111341364A ,2020-06-26

[10]

半导体器件和包括半导体器件的半导体系统 [P].

金宽东 .

中国专利 :CN110211616B ,2019-09-06

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