存储器器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110721679.3
申请日
2021-06-28
公开(公告)号
CN113540099A
公开(公告)日
2021-10-22
发明(设计)人
杨柏峰 马礼修 杨世海 贾汉中 林佑明
申请人
申请人地址
中国台湾新竹
IPC主分类号
H01L2711507
IPC分类号
H01L2711509 H01L2724
代理机构
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
章社杲;李伟
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
存储器器件及其制造方法 [P]. 
杨柏峰 ;
马礼修 ;
杨世海 ;
贾汉中 ;
林佑明 .
中国专利 :CN113540099B ,2024-03-12
[2]
存储器单元、存储器件及其形成方法 [P]. 
蒋国璋 ;
孙宏彰 ;
赖昇志 ;
杨子庆 ;
江昱维 .
中国专利 :CN113540114B ,2024-11-12
[3]
存储器单元、存储器件及其形成方法 [P]. 
蒋国璋 ;
孙宏彰 ;
赖昇志 ;
杨子庆 ;
江昱维 .
中国专利 :CN113540114A ,2021-10-22
[4]
存储器件及其制造方法 [P]. 
何彦忠 ;
吴咏捷 ;
游嘉榕 ;
魏惠娴 ;
马礼修 ;
后藤贤一 ;
许秉诚 .
中国专利 :CN113394221A ,2021-09-14
[5]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
弗朗茨·霍夫曼恩 ;
约瑟夫·威勒 .
中国专利 :CN101154634A ,2008-04-02
[6]
存储器器件及其制造方法 [P]. 
张盟昇 ;
黄家恩 ;
邱奕勋 ;
王奕 .
中国专利 :CN112447734A ,2021-03-05
[7]
存储器器件及其制造方法 [P]. 
张盟昇 .
中国专利 :CN119156004A ,2024-12-17
[8]
存储器器件及其制造方法 [P]. 
黄哲盛 .
韩国专利 :CN120917886A ,2025-11-07
[9]
存储器器件及其制造方法 [P]. 
游力瑾 ;
张盟昇 .
中国专利 :CN119156003A ,2024-12-17
[10]
存储器器件及其制造方法 [P]. 
黄哲盛 .
韩国专利 :CN120917885A ,2025-11-07