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一种压接型SiC功率模块封装结构
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911285299.9
申请日
:
2019-12-13
公开(公告)号
:
CN111128898A
公开(公告)日
:
2020-05-08
发明(设计)人
:
杨柳
张振中
孙军
和巍巍
申请人
:
申请人地址
:
518000 广东省深圳市南山区高新区南区南环路29号留学生创业大厦二期22楼
IPC主分类号
:
H01L2304
IPC分类号
:
H01L23495
H01L23367
H01L2308
H01L2349
代理机构
:
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223
代理人
:
王震宇
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-06-02
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/04 申请日:20191213
2020-05-08
公开
公开
2021-07-30
授权
授权
共 50 条
[1]
一种压接型SiC功率模块封装结构
[P].
杨柳
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杨柳
;
张振中
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张振中
;
孙军
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孙军
;
和巍巍
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和巍巍
.
中国专利
:CN211045412U
,2020-07-17
[2]
一种压接型SiC功率模块封装结构
[P].
丁烜明
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机构:
无锡利普思半导体有限公司
无锡利普思半导体有限公司
丁烜明
;
梁小广
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机构:
无锡利普思半导体有限公司
无锡利普思半导体有限公司
梁小广
.
中国专利
:CN116169083B
,2024-12-31
[3]
一种SiC功率模块烧结封装方法
[P].
彭劲松
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机构:
杭州爱矽科技有限公司
杭州爱矽科技有限公司
彭劲松
;
刘忠鑫
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机构:
杭州爱矽科技有限公司
杭州爱矽科技有限公司
刘忠鑫
;
當麻展久
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机构:
杭州爱矽科技有限公司
杭州爱矽科技有限公司
當麻展久
;
黄泰豪
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机构:
杭州爱矽科技有限公司
杭州爱矽科技有限公司
黄泰豪
.
中国专利
:CN120637233A
,2025-09-12
[4]
一种散热性好的SiC功率模块封装结构
[P].
李晓波
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李晓波
;
白欣娇
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白欣娇
;
甘琨
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甘琨
;
唐景庭
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唐景庭
;
袁凤坡
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袁凤坡
;
张珂
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张珂
.
中国专利
:CN209169133U
,2019-07-26
[5]
新型压接型功率模块
[P].
杨冬伟
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杨冬伟
.
中国专利
:CN206672930U
,2017-11-24
[6]
压接式功率模块的压接结构、功率模块及功率器件
[P].
石廷昌
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机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
石廷昌
;
李星峰
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机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
李星峰
;
常桂钦
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机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
常桂钦
;
罗海辉
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机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
罗海辉
;
李寒
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机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
李寒
;
肖强
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株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
肖强
;
石好文
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机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
石好文
.
中国专利
:CN117393520A
,2024-01-12
[7]
一种新型压接型功率模块
[P].
杨冬伟
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杨冬伟
.
中国专利
:CN106684074A
,2017-05-17
[8]
一种可靠性高的SiC功率模块封装结构
[P].
王静辉
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王静辉
;
张乾
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张乾
;
白欣娇
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白欣娇
;
李婷婷
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李婷婷
;
纪亮亮
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纪亮亮
;
温鑫鑫
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温鑫鑫
.
中国专利
:CN209312748U
,2019-08-27
[9]
功率模块封装结构
[P].
梁乐
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梁乐
;
鲁凯
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鲁凯
;
赵振清
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赵振清
;
李锃
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李锃
.
中国专利
:CN106373952A
,2017-02-01
[10]
一种压接式功率模块及其封装方法
[P].
檀春健
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机构:
深圳市国微三代半导体技术有限公司
深圳市国微三代半导体技术有限公司
檀春健
;
王少刚
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机构:
深圳市国微三代半导体技术有限公司
深圳市国微三代半导体技术有限公司
王少刚
;
叶怀宇
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深圳市国微三代半导体技术有限公司
深圳市国微三代半导体技术有限公司
叶怀宇
;
付嵩琦
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深圳市国微三代半导体技术有限公司
深圳市国微三代半导体技术有限公司
付嵩琦
;
鲁纲
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深圳市国微三代半导体技术有限公司
深圳市国微三代半导体技术有限公司
鲁纲
;
张国旗
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机构:
深圳市国微三代半导体技术有限公司
深圳市国微三代半导体技术有限公司
张国旗
.
中国专利
:CN117038598B
,2025-09-02
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