一种刻蚀下料带液异常硅片拦截处理装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202022681142.2

申请日：

2020-11-19

公开(公告)号：

CN213124473U

公开(公告)日：

2021-05-04

发明(设计)人：

石雪荣陈庆发彭平夏中高李旭杰

申请人：

申请人地址：

461700 河南省许昌市襄城县产业集聚区（襄业路中段）

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

许昌豫创知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 41140

代理人：

韩晓静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-04	授权	授权

共 50 条

[11]

一种硅片研磨液前处理装置和硅片研磨设备 [P].

何刚 ;

程远梅 ;

赵莉珍 ;

温涛 .

中国专利 :CN216791798U ,2022-06-21

[12]

一种单晶硅片刻蚀装置 [P].

吕明 ;

郭城 ;

李充 ;

王永超 ;

韩仲涛 ;

郭英云 ;

弭帅 ;

王世农 .

中国专利 :CN217104146U ,2022-08-02

[13]

一种刻蚀液铜回收上下料装置 [P].

张华 ;

王落军 .

中国专利 :CN205223354U ,2016-05-11

[14]

一种硅片单面刻蚀装置 [P].

何达能 ;

方结彬 ;

秦崇德 ;

陈刚 .

中国专利 :CN207651451U ,2018-07-24

[15]

一种硅片刻蚀装置 [P].

程瑜 ;

李立腾 ;

李坚毅 .

中国专利 :CN221812085U ,2024-10-08

[16]

一种硅片的刻蚀装置 [P].

龚雪玲 ;

陈宇 .

中国专利 :CN214672537U ,2021-11-09

[17]

一种硅片检测装置 [P].

李志强 .

中国专利 :CN209715770U ,2019-12-03

[18]

一种硅片下料装置 [P].

宋春明 ;

张晋英 ;

王洪亮 ;

严政先 ;

安爱博 ;

孙晨光 ;

王彦君 .

中国专利 :CN216071989U ,2022-03-18

[19]

一种多晶硅片水膜保护扩散面刻蚀装置 [P].

王泉龙 ;

李琪 ;

孙珠珠 ;

周国栋 .

中国专利 :CN214043617U ,2021-08-24

[20]

一种等离子刻蚀用硅片辅助装置 [P].

任现坤 ;

姜言森 ;

张春燕 ;

杨青天 ;

焦云峰 ;

刘鹏 ;

李玉花 ;

徐振华 ;

程亮 ;

王兆光 .

中国专利 :CN201868462U ,2011-06-15

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