硅片键合方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510187464.2

申请日：

2015-04-17

公开(公告)号：

CN104925749A

公开(公告)日：

2015-09-23

发明(设计)人：

徐爱斌王俊杰季伟

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

B81C300

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-25	授权	授权
2015-09-23	公开	公开
2015-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101629653454 IPC(主分类):B81C 3/00 专利申请号:2015101874642 申请日:20150417

共 50 条

[1]

硅片键合方法 [P].

徐爱斌 ;

王俊杰 .

中国专利 :CN104891430A ,2015-09-09

[2]

硅片键合分离方法 [P].

来燕利 .

中国专利 :CN101556924A ,2009-10-14

[3]

硅片共晶键合方法 [P].

傅荣颢 ;

冯凯 .

中国专利 :CN103107069A ,2013-05-15

[4]

硅片低温直接键合方法 [P].

沈光地 ;

徐晨 ;

杨道虹 ;

霍文晓 ;

赵林林 ;

赵慧 ;

高国 ;

陈建新 .

中国专利 :CN1588617A ,2005-03-02

[5]

一种硅片的阳极键合装置及其键合方法 [P].

于见河 ;

宋义 .

中国专利 :CN117963836B ,2024-12-06

[6]

一种硅片的阳极键合装置及其键合方法 [P].

于见河 ;

宋义 .

中国专利 :CN117963836A ,2024-05-03

[7]

硅片键合强度的测量方法 [P].

孙立宁 ;

陈立国 ;

黄庆安 ;

陈涛 .

中国专利 :CN1648632A ,2005-08-03

[8]

一种硅片直接键合方法 [P].

李响 ;

丁浩杰 ;

刘丽君 ;

范美华 .

中国专利 :CN106409650B ,2017-02-15

[9]

一种硅片的临时键合方法 [P].

李其凡 ;

史晓华 .

中国专利 :CN113716519A ,2021-11-30

[10]

一种增强键合强度的超薄热氧化晶圆键合工艺 [P].

王前文 ;

胡胜 ;

孙鹏 .

中国专利 :CN105185720B ,2015-12-23

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