一种硅片直接键合方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510481429.1

申请日：

2015-08-03

公开(公告)号：

CN106409650B

公开(公告)日：

2017-02-15

发明(设计)人：

李响丁浩杰刘丽君范美华

申请人：

申请人地址：

110179 辽宁省沈阳市沈阳出口加工区浑南东路15-22号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2118

代理机构：

沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002

代理人：

许宗富;周秀梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-29	授权	授权
2017-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101707265144 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015104814291 申请日:20150803
2017-02-15	公开	公开

共 50 条

[1]

硅片直接键合方法 [P].

张会珍 ;

童勤义 ;

秦明 ;

陈大金 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN1086926A ,1994-05-18

[2]

硅片键合方法 [P].

徐爱斌 ;

王俊杰 ;

季伟 .

中国专利 :CN104925749A ,2015-09-23

[3]

硅片键合方法 [P].

徐爱斌 ;

王俊杰 .

中国专利 :CN104891430A ,2015-09-09

[4]

一种短波长光辅助硅片直接键合方法 [P].

史铁林 ;

廖广兰 ;

马沧海 ;

汤自荣 ;

聂磊 ;

林晓辉 .

中国专利 :CN100573821C ,2008-09-10

[5]

硅片键合分离方法 [P].

来燕利 .

中国专利 :CN101556924A ,2009-10-14

[6]

一种铜-铜键合方法及键合结构 [P].

邱阳 ;

张科宣 ;

胡挺 ;

钟其泽 ;

董渊 ;

赵兴岩 ;

郑少南 .

中国专利 :CN120709167A ,2025-09-26

[7]

一种晶圆键合系统及热压键合、直接键合和阳极键合方法 [P].

张文庆 ;

杨云春 .

中国专利 :CN118712106A ,2024-09-27

[8]

一种晶圆键合系统及热压键合、直接键合和阳极键合方法 [P].

张文庆 ;

杨云春 .

中国专利 :CN118712106B ,2024-11-26

[9]

一种新型键合硅片及其制备方法 [P].

杨朔 .

中国专利 :CN111326570A ,2020-06-23

[10]

一种用铟(In)进行外延片/硅片键合的方法 [P].

杨继远 .

中国专利 :CN102569031A ,2012-07-11

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