一种新型键合硅片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010219325.4

申请日：

2020-05-12

公开(公告)号：

CN111326570A

公开(公告)日：

2020-06-23

发明(设计)人：

杨朔

申请人：

申请人地址：

200030 上海市徐汇区桂平路680号33幢303-45室

IPC主分类号：

H01L2936

IPC分类号：

H01L2906 H01L2118

代理机构：

合肥律众知识产权代理有限公司 34147

代理人：

龙海丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-23	公开	公开
2020-07-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/36 申请日:20200512

共 50 条

[1]

一种硅片的阳极键合装置及其键合方法 [P].

于见河 ;

宋义 .

中国专利 :CN117963836B ,2024-12-06

[2]

一种硅片的阳极键合装置及其键合方法 [P].

于见河 ;

宋义 .

中国专利 :CN117963836A ,2024-05-03

[3]

硅片键合方法 [P].

徐爱斌 ;

王俊杰 ;

季伟 .

中国专利 :CN104925749A ,2015-09-23

[4]

硅片键合方法 [P].

徐爱斌 ;

王俊杰 .

中国专利 :CN104891430A ,2015-09-09

[5]

一种硅片直接键合方法 [P].

李响 ;

丁浩杰 ;

刘丽君 ;

范美华 .

中国专利 :CN106409650B ,2017-02-15

[6]

硅片键合分离方法 [P].

来燕利 .

中国专利 :CN101556924A ,2009-10-14

[7]

一种用铟(In)进行外延片/硅片键合的方法 [P].

杨继远 .

中国专利 :CN102569031A ,2012-07-11

[8]

一种硅片的临时键合方法 [P].

李其凡 ;

史晓华 .

中国专利 :CN113716519A ,2021-11-30

[9]

硅片共晶键合方法 [P].

傅荣颢 ;

冯凯 .

中国专利 :CN103107069A ,2013-05-15

[10]

一种SOI硅片对准键合的方法 [P].

方小磊 ;

陈艳明 ;

李彦庆 ;

叶武阳 ;

张凯 ;

刘佳晶 .

中国专利 :CN110767589B ,2020-02-07

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