单晶硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780079175.8

申请日：

2017-10-30

公开(公告)号：

CN110249080A

公开(公告)日：

2019-09-17

发明(设计)人：

前川浩一鸣嶋康人川上泰史小川福生

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1530

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

杨戬

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-17	公开	公开
2019-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20171030

共 50 条

[41]

n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 ;

木原亚由美 .

中国专利 :CN114606567A ,2022-06-10

[42]

n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 ;

木原亚由美 .

日本专利 :CN114606567B ,2024-10-01

[43]

单晶硅的制造方法和硅晶片 [P].

梶原薰 ;

原田和浩 .

中国专利 :CN110863240A ,2020-03-06

[44]

单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片 [P].

布施川泉 ;

大国祯之 ;

三田村伸晃 ;

太田友彦 ;

胜冈信生 .

中国专利 :CN1646736A ,2005-07-27

[45]

n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 ;

堤有二 .

中国专利 :CN110730832A ,2020-01-24

[46]

n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 ;

堤有二 .

中国专利 :CN114438587A ,2022-05-06

[47]

n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 ;

木原亚由美 .

中国专利 :CN110753764A ,2020-02-04

[48]

单晶硅的培育方法 [P].

星亮二 .

中国专利 :CN111164241A ,2020-05-15

[49]

单晶硅晶片、单晶硅晶片的制造方法以及单晶硅晶片的评价方法 [P].

田原史夫 ;

大槻刚 ;

名古屋孝俊 ;

三谷清 .

中国专利 :CN102017069A ,2011-04-13

[50]

制造单晶硅 [P].

埃里克·绍尔 ;

奥列格·费费洛夫 ;

卡内尔·洛德 .

中国专利 :CN104246022A ,2014-12-24

← 1 2 3 4 5 →