单晶硅的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201780079175.8
申请日
2017-10-30
公开(公告)号
CN110249080A
公开(公告)日
2019-09-17
发明(设计)人
前川浩一 鸣嶋康人 川上泰史 小川福生
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C30B2906
IPC分类号
C30B1530
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
杨戬
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[21]
单晶硅的制造方法 [P]. 
梶原薰 ;
末若良太 ;
田中英树 ;
金原崇浩 .
中国专利 :CN108350603A ,2018-07-31
[22]
单晶硅的制造方法 [P]. 
林三照 ;
杉村涉 ;
小野敏昭 ;
藤原俊幸 .
中国专利 :CN108779577A ,2018-11-09
[23]
单晶硅的制造方法 [P]. 
梶原薰 ;
斋藤康裕 ;
金原崇浩 ;
片野智一 ;
田边一美 ;
田中英树 .
中国专利 :CN107709634B ,2018-02-16
[24]
单晶硅的制造方法 [P]. 
斋藤康裕 ;
最胜寺俊昭 ;
田边一美 .
中国专利 :CN109415843A ,2019-03-01
[25]
单晶硅的制造方法 [P]. 
八木大地 .
中国专利 :CN105274617A ,2016-01-27
[26]
单晶硅的制造方法 [P]. 
三原佳祐 .
日本专利 :CN117597476A ,2024-02-23
[27]
单晶硅的制造方法 [P]. 
王兴邦 ;
程俊翰 ;
林嫚萱 ;
王汉民 ;
徐文庆 .
中国专利 :CN108691009A ,2018-10-23
[28]
单晶硅的制造方法 [P]. 
三原佳祐 .
日本专利 :CN119256125A ,2025-01-03
[29]
单晶硅的制造方法 [P]. 
安村健 ;
橘昇二 .
中国专利 :CN106715766B ,2017-05-24
[30]
单晶硅的制造方法 [P]. 
铃木优作 .
中国专利 :CN106894083B ,2017-06-27