单晶硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780040672.7

申请日：

2017-02-23

公开(公告)号：

CN109415843A

公开(公告)日：

2019-03-01

发明(设计)人：

斋藤康裕最胜寺俊昭田边一美

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1500 C30B1520

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

童春媛;杨戬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20170223
2019-03-01	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶硅的制造方法及单晶硅 [P].

横山龙介 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108291327A ,2018-07-17

[2]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

坂本英城 ;

杉村涉 ;

横山龙介 ;

松岛直辉 ;

四井拓也 .

日本专利 :CN120981615A ,2025-11-18

[3]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

杉村涉 ;

横山龙介 ;

坂本英城 ;

松岛直辉 ;

村松祐 .

日本专利 :CN121002233A ,2025-11-21

[4]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

[5]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

中国专利 :CN114929950A ,2022-08-19

[6]

单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 [P].

樱田昌弘 ;

小林武史 ;

森达生 ;

布施川泉 ;

太田友彦 .

中国专利 :CN1406292A ,2003-03-26

[7]

单晶硅制造方法以及单晶硅晶片 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110036143A ,2019-07-19

[8]

单晶硅的制造方法 [P].

梶原薰 ;

末若良太 ;

田中英树 ;

金原崇浩 .

中国专利 :CN108350603A ,2018-07-31

[9]

单晶硅的制造方法 [P].

林三照 ;

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108779577A ,2018-11-09

[10]

单晶硅的制造方法 [P].

川添真一 ;

琴冈敏朗 ;

堤有二 .

中国专利 :CN114540938A ,2022-05-27

← 1 2 3 4 5 →