一种深紫外发光二极管封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202220102278.X

申请日：

2022-01-17

公开(公告)号：

CN215869384U

公开(公告)日：

2022-02-18

发明(设计)人：

白润松闫志超黄小辉李大超

申请人：

申请人地址：

102629 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地永大路38号1幢4层409-14室

IPC主分类号：

H01L2518

IPC分类号：

H01L3348 A61L210

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

王富强

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种深紫外发光二极管封装结构 [P].

闫志超 ;

黄小辉 ;

李大超 .

中国专利 :CN215451410U ,2022-01-07

[2]

一种深紫外发光二极管封装结构 [P].

陆振东 ;

闫志超 ;

黄小辉 ;

李大超 .

中国专利 :CN215896434U ,2022-02-22

[3]

深紫外发光二极管 [P].

郑锦坚 ;

毕京锋 ;

高默然 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN215118929U ,2021-12-10

[4]

一种深紫外发光二极管封装结构 [P].

闫志超 ;

黄小辉 ;

李大超 .

中国专利 :CN215451457U ,2022-01-07

[5]

深紫外发光二极管 [P].

R·格斯卡 ;

M·S·沙特洛娃 ;

M·舒尔 .

中国专利 :CN103038900A ,2013-04-10

[6]

深紫外发光二极管 [P].

R·格斯卡 ;

M·S·沙特洛娃 ;

M·舒尔 .

中国专利 :CN105590999A ,2016-05-18

[7]

深紫外发光二极管 [P].

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

张学双 ;

赵进超 .

中国专利 :CN216288494U ,2022-04-12

[8]

深紫外发光二极管 [P].

张毅 ;

卓昌正 ;

张骏 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN120835639A ,2025-10-24

[9]

深紫外发光二极管器件 [P].

张爽 ;

戴江南 ;

陈长清 .

中国专利 :CN222621533U ,2025-03-14

[10]

一种深紫外发光二极管封装 [P].

康建 ;

姚禹 ;

郑远志 ;

陈向东 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN109888079A ,2019-06-14

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