一种CN薄膜的复合制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810560537.1

申请日：

2018-06-04

公开(公告)号：

CN108754421A

公开(公告)日：

2018-11-06

发明(设计)人：

彭寿沈洪雪姚婷婷杨勇李刚

申请人：

申请人地址：

233010 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号

IPC主分类号：

C23C1406

IPC分类号：

C23C1422 C23C1435 C23C1458

代理机构：

安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113

代理人：

陈俊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-06	公开	公开
2020-04-03	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C23C 14/06 申请公布日:20181106
2018-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/06 申请日:20180604

共 50 条

[1]

一种离子束沉积制备CN薄膜的方法 [P].

沈洪雪 ;

倪嘉 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108642465A ,2018-10-12

[2]

一种制备Cu掺杂稀磁半导体薄膜的方法 [P].

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108642462A ,2018-10-12

[3]

一种稀磁半导体薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108707864A ,2018-10-26

[4]

一种Al、Mn、ZnO共掺杂复合薄膜的制备方法 [P].

沈洪雪 ;

倪嘉 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108396298A ,2018-08-14

[5]

一种ZnS包覆ZnO纳米核壳结构复合薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108754442A ,2018-11-06

[6]

一种用于太阳能电池前电极复合薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108642463A ,2018-10-12

[7]

一种高电阻率CN薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

沈洪雪 ;

金克武 ;

甘治平 ;

李刚 ;

姚婷婷 ;

杨勇 .

中国专利 :CN107475668A ,2017-12-15

[8]

一种W掺杂ZrO2薄膜的制备方法 [P].

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

彭塞奥 ;

李刚 .

中国专利 :CN110983274A ,2020-04-10

[9]

一种蒸发镀制石墨相CN薄膜的方法 [P].

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

李刚 ;

金克武 ;

王天齐 ;

陆勇 ;

时君 .

中国专利 :CN110819944A ,2020-02-21

[10]

一种碳自掺杂且浓度呈梯度分布的CN薄膜的制备方法 [P].

沈洪雪 ;

李刚 ;

姚婷婷 ;

王天齐 ;

金克武 .

中国专利 :CN112626470A ,2021-04-09

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