一种蒸发镀制石墨相CN薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911353347.3

申请日：

2019-12-25

公开(公告)号：

CN110819944A

公开(公告)日：

2020-02-21

发明(设计)人：

沈洪雪姚婷婷李刚金克武王天齐陆勇时君

申请人：

申请人地址：

233010 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号

IPC主分类号：

C23C1424

IPC分类号：

C23C1406 C23C1458

代理机构：

安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113

代理人：

陈俊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/24 申请日:20191225
2021-10-29	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C23C 14/24 申请公布日:20200221
2020-02-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种电弧离子镀CN薄膜的方法 [P].

马占吉 ;

赵栋才 ;

武生虎 ;

肖更竭 ;

任妮 .

中国专利 :CN101962747A ,2011-02-02

[2]

一种CN薄膜的复合制备方法 [P].

彭寿 ;

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108754421A ,2018-11-06

[3]

一种离子束沉积制备CN薄膜的方法 [P].

沈洪雪 ;

倪嘉 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108642465A ,2018-10-12

[4]

一种石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法 [P].

吕晓伟 ;

孙小华 ;

黄妞 ;

孙盼盼 .

中国专利 :CN110176505A ,2019-08-27

[5]

一种石墨相氮化碳薄膜及其制备方法 [P].

禹晓梅 ;

史威 ;

韩超 ;

张彬 ;

李松杰 ;

郑金友 ;

王浩 ;

李敏 .

中国专利 :CN117466259A ,2024-01-30

[6]

一种石墨相氮化碳薄膜及其制备方法 [P].

赵元春 ;

赵紫琼 ;

李彤 ;

叶斗志 .

中国专利 :CN110590172A ,2019-12-20

[7]

一种石墨相氮化碳薄膜及其制备方法 [P].

禹晓梅 ;

史威 ;

韩超 ;

张彬 ;

李松杰 ;

郑金友 ;

王浩 ;

李敏 .

中国专利 :CN117466259B ,2025-08-29

[8]

一种自支撑石墨相氮化碳薄膜的制备方法 [P].

郭良洽 ;

蔡状 .

中国专利 :CN109627012B ,2019-04-16

[9]

一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法 [P].

申燕 ;

吕晓伟 .

中国专利 :CN106206773A ,2016-12-07

[10]

一种吡啶改性石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法 [P].

吕晓伟 ;

张顺 ;

陈德国 ;

孙盼盼 ;

孙小华 .

中国专利 :CN115627498A ,2023-01-20

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