蚀刻溶液和蚀刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880002626.9

申请日：

2008-01-22

公开(公告)号：

CN101622697A

公开(公告)日：

2010-01-06

发明(设计)人：

彼得·法斯艾哈尔·米尔因克

申请人：

申请人地址：

德国康斯坦察

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人：

寿宁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-06	公开	公开
2012-10-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101456017656 IPC(主分类):H01L 21/306 专利申请号:2008800026269 申请公布日:20100106
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001398768 IPC(主分类):H01L 21/306 专利申请号:2008800026269 申请日:20080122

共 50 条

[1]

蚀刻溶液组合物和使用该蚀刻溶液组合物的湿蚀刻方法 [P].

金铉卓 ;

林廷训 ;

李昌一 ;

宋忠植 ;

李珍旭 .

中国专利 :CN104039925A ,2014-09-10

[2]

蚀刻溶液,蚀刻制品和制造蚀刻制品的方法 [P].

毛塚健彦 ;

陶山诚 ;

板野充司 .

中国专利 :CN100595893C ,2001-12-26

[3]

用于多层铜和钼的蚀刻溶液及使用该蚀刻溶液的蚀刻方法 [P].

金圣秀 ;

崔容硕 ;

曹奎哲 ;

蔡基成 ;

权五南 ;

李坰默 ;

黄龙燮 ;

李承庸 .

中国专利 :CN1510169A ,2004-07-07

[4]

蚀刻溶液，用于制造压电元件的方法以及蚀刻方法 [P].

藤井隆满 ;

向山明博 .

中国专利 :CN103666477A ,2014-03-26

[5]

蚀刻溶液,蚀刻制品和制造蚀刻制品的方法 [P].

毛塚健彦 ;

陶山诚 ;

板野充司 .

中国专利 :CN1167110C ,2001-12-26

[6]

用于蚀刻铜和回收废蚀刻溶液的方法 [P].

哈拉尔德·奥特图思 .

中国专利 :CN101688315B ,2010-03-31

[7]

用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法 [P].

洪亨杓 ;

李在连 ;

林大成 .

中国专利 :CN103547654B ,2014-01-29

[8]

蚀刻方法和蚀刻装置 [P].

原谦一 ;

早川崇 .

中国专利 :CN103069547A ,2013-04-24

[9]

蚀刻方法和蚀刻装置 [P].

高桥信博 ;

萩原彩乃 ;

福田智朗 ;

铃木健斗 ;

今井佑辅 .

日本专利 :CN119678245A ,2025-03-21

[10]

蚀刻方法和蚀刻装置 [P].

高桥信博 ;

萩原彩乃 ;

浅田泰生 ;

山口达也 .

日本专利 :CN111755329B ,2024-05-28

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