半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610315837.4

申请日：

2016-05-12

公开(公告)号：

CN107369709B

公开(公告)日：

2017-11-21

发明(设计)人：

金兰

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20160512
2020-08-07	授权	授权
2017-11-21	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

杨震 .

中国专利 :CN105990244B ,2016-10-05

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

王新鹏 .

中国专利 :CN104752361A ,2015-07-01

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

司进 ;

谭程 ;

崇二敏 ;

王彦 ;

张海洋 .

中国专利 :CN118281045A ,2024-07-02

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

肖芳元 ;

张丽杰 .

中国专利 :CN117954325A ,2024-04-30

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

范义秋 .

中国专利 :CN118841370A ,2024-10-25

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

陈卓凡 .

中国专利 :CN117352389A ,2024-01-05

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

樊永帅 ;

付宇 ;

柴杉杉 ;

薛晓凡 .

中国专利 :CN120456575A ,2025-08-08

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

魏琰 ;

宋化龙 ;

徐唯佳 .

中国专利 :CN108695258B ,2018-10-23

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

呼翔 .

中国专利 :CN114068497A ,2022-02-18

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 ;

洪中山 .

中国专利 :CN111261517A ,2020-06-09

← 1 2 3 4 5 →