半导体结构及半导体结构形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910131889.X

申请日：

2019-02-22

公开(公告)号：

CN110444482B

公开(公告)日：

2019-11-12

发明(设计)人：

余振华苏安治吴集锡叶德强吴仓聚邱文智叶名世

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L2156 H01L23488

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

康艳青;姚开丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/60 申请日:20190222
2019-11-12	公开	公开
2022-03-15	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及半导体结构形成方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN118486692A ,2024-08-13

[2]

半导体结构及半导体结构形成方法 [P].

陶大伟 .

中国专利 :CN112490244A ,2021-03-12

[3]

半导体结构形成方法及半导体结构 [P].

卢仁祥 ;

蔡宗翰 ;

张世勳 .

中国专利 :CN110610989B ,2024-10-29

[4]

半导体结构形成方法以及半导体结构 [P].

卢经文 .

中国专利 :CN114256153B ,2024-06-07

[5]

半导体结构形成方法以及半导体结构 [P].

卢经文 .

中国专利 :CN114256153A ,2022-03-29

[6]

半导体结构形成方法及半导体器件 [P].

张志伟 .

中国专利 :CN111696941A ,2020-09-22

[7]

半导体结构形成方法及半导体器件 [P].

张志伟 .

中国专利 :CN111696941B ,2024-12-06

[8]

半导体结构形成方法 [P].

刘中元 ;

赵鹏 ;

马孝田 .

中国专利 :CN111725068A ,2020-09-29

[9]

半导体结构形成方法 [P].

崔明 .

中国专利 :CN114613675A ,2022-06-10

[10]

半导体结构形成方法 [P].

卢仁祥 ;

蔡宗翰 ;

张世勳 .

中国专利 :CN110610989A ,2019-12-24

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