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半导体结构及半导体结构形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910859619.0
申请日：
2019-09-11
公开(公告)号：
CN112490244A
公开(公告)日：
2021-03-12
发明(设计)人：
陶大伟
申请人：
申请人地址：
230001 安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号：
H01L27108
IPC分类号：
H01L21762
H01L218242
代理机构：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人：
孙佳胤
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-03-12 | 公开 | 公开 |
| 2021-03-30 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20190911 |