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半导体结构形成方法及半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910198405.3
申请日：
2019-03-15
公开(公告)号：
CN111696941B
公开(公告)日：
2024-12-06
发明(设计)人：
张志伟
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号：
H01L23/48
IPC分类号：
H01L23/535
H01L21/764
H01L29/06
H10B12/00
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-06 | 授权 | 授权 |