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半导体结构形成方法及半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910198405.3
申请日：
2019-03-15
公开(公告)号：
CN111696941A
公开(公告)日：
2020-09-22
发明(设计)人：
张志伟
申请人：
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号：
H01L2348
IPC分类号：
H01L23535
H01L21764
H01L2906
H01L27108
代理机构：
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人：
袁礼君;阚梓瑄
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-09-22 | 公开 | 公开 |
| 2020-10-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20190315 |