一种深紫外LED外延芯片封装结构及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810449577.9

申请日：

2018-05-11

公开(公告)号：

CN108493311A

公开(公告)日：

2018-09-04

发明(设计)人：

何苗杨思攀王成民王润周海亮

申请人：

申请人地址：

510060 广东省广州市越秀区东风东路729号

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3364 H01L3300

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

罗满

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-04	公开	公开
2018-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20180511

共 50 条

[1]

一种深紫外LED外延芯片封装结构 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

王成民 ;

王润 ;

周海亮 .

中国专利 :CN208596699U ,2019-03-12

[2]

深紫外LED外延结构、深紫外LED及制备方法 [P].

齐胜利 ;

郭丽彬 ;

周飚 ;

刘亚柱 .

中国专利 :CN112768580B ,2021-05-07

[3]

深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法 [P].

何苗 ;

丛海云 ;

黄仕华 ;

熊德平 .

中国专利 :CN109616561B ,2019-04-12

[4]

一种深紫外芯片外延芯片封装结构装置 [P].

吴飞翔 ;

朱剑锋 ;

颜姿云 ;

叶小丽 .

中国专利 :CN111969090A ,2020-11-20

[5]

一种深紫外LED封装结构及深紫外LED封装方法 [P].

张康 ;

夏正浩 ;

罗明浩 ;

庞俊腾 ;

赵明杰 .

中国专利 :CN119653945A ,2025-03-18

[6]

一种深紫外LED外延芯片正装结构 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

王成民 ;

王润 ;

周海亮 .

中国专利 :CN109545928A ,2019-03-29

[7]

一种深紫外LED芯片的制备方法及深紫外LED芯片 [P].

曹一伟 ;

陈凯 ;

旷明胜 .

中国专利 :CN119545993A ,2025-02-28

[8]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED [P].

徐孝灵 ;

黄小辉 ;

王小文 ;

康健 ;

郑远志 ;

陈向东 .

中国专利 :CN110112273B ,2019-08-09

[9]

一种深紫外LED芯片的外延结构及其制备方法 [P].

陈谦 ;

高扬 ;

郑志华 ;

张毅 ;

张爽 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN109103313A ,2018-12-28

[10]

深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117894898B ,2024-06-11

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