一种深紫外LED外延芯片正装结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811614645.9

申请日：

2018-12-27

公开(公告)号：

CN109545928A

公开(公告)日：

2019-03-29

发明(设计)人：

何苗杨思攀王成民王润周海亮

申请人：

申请人地址：

510060 广东省广州市越秀区东风东路729号大院

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3338

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张春水;唐京桥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-29	公开	公开
2020-10-23	授权	授权
2019-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20181227

共 50 条

[1]

一种深紫外LED外延芯片封装结构 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

王成民 ;

王润 ;

周海亮 .

中国专利 :CN208596699U ,2019-03-12

[2]

深紫外LED外延结构、深紫外LED及制备方法 [P].

齐胜利 ;

郭丽彬 ;

周飚 ;

刘亚柱 .

中国专利 :CN112768580B ,2021-05-07

[3]

深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法 [P].

何苗 ;

丛海云 ;

黄仕华 ;

熊德平 .

中国专利 :CN109616561B ,2019-04-12

[4]

一种深紫外LED外延结构 [P].

孙卿 ;

汤磊 ;

罗邵军 ;

杨福华 .

中国专利 :CN207265079U ,2018-04-20

[5]

一种深紫外LED外延芯片封装结构及制备方法 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

王成民 ;

王润 ;

周海亮 .

中国专利 :CN108493311A ,2018-09-04

[6]

一种深紫外芯片外延芯片封装结构装置 [P].

吴飞翔 ;

朱剑锋 ;

颜姿云 ;

叶小丽 .

中国专利 :CN111969090A ,2020-11-20

[7]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED [P].

徐孝灵 ;

黄小辉 ;

王小文 ;

康健 ;

郑远志 ;

陈向东 .

中国专利 :CN110112273B ,2019-08-09

[8]

一种深紫外LED芯片的外延结构及其制备方法 [P].

陈谦 ;

高扬 ;

郑志华 ;

张毅 ;

张爽 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN109103313A ,2018-12-28

[9]

一种新型的深紫外LED外延结构 [P].

尹以安 ;

王敦年 .

中国专利 :CN208014725U ,2018-10-26

[10]

一种深紫外LED外延片、外延生长方法及LED芯片 [P].

霍丽艳 ;

滕龙 ;

吴洪浩 ;

崔晓慧 ;

刘兆 .

中国专利 :CN116632138B ,2025-06-10

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