一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120503219.9

申请日：

2021-03-09

公开(公告)号：

CN214458452U

公开(公告)日：

2021-10-22

发明(设计)人：

代晓波

申请人：

申请人地址：

558200 贵州省黔南布依族苗族自治州独山县麻万镇麻抹组

IPC主分类号：

C30B2942

IPC分类号：

C30B2802

代理机构：

重庆以知共创专利代理事务所(普通合伙) 50226

代理人：

高建华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种砷化镓晶体生长用单晶炉 [P].

马争荣 ;

王建玲 .

中国专利 :CN213172685U ,2021-05-11

[2]

砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法 [P].

卢纪军 ;

包文东 ;

李苏滨 ;

惠峰 ;

李雪峰 ;

柳廷龙 ;

李武芳 ;

周一 ;

杨海超 ;

候振海 ;

朱大清 ;

董汝昆 ;

何永彬 ;

田东 ;

马会宇 ;

肖祥江 ;

杨小瑞 .

中国专利 :CN105154978B ,2015-12-16

[3]

一种砷化镓晶体生长装置 [P].

于会永 ;

赵中阳 .

中国专利 :CN207159419U ,2018-03-30

[4]

一种砷化镓晶体生长用石英坩埚 [P].

代晓波 .

中国专利 :CN210215622U ,2020-03-31

[5]

一种砷化镓晶体生长用续料装置 [P].

马争荣 ;

王建玲 .

中国专利 :CN213447379U ,2021-06-15

[6]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN110325672A ,2019-10-11

[7]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN113235162A ,2021-08-10

[8]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN113215662A ,2021-08-06

[9]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

日本专利 :CN113235162B ,2024-06-04

[10]

一种多室砷化镓单晶生长炉 [P].

代晓波 .

中国专利 :CN210215618U ,2020-03-31

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