一种钕钡铜氧超导单晶体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97121888.9

申请日：

1997-12-11

公开(公告)号：

CN1064723C

公开(公告)日：

1998-07-29

发明(设计)人：

周廉杨万民冯勇张翠萍张平祥吴晓祖

申请人：

申请人地址：

710016陕西省西安市51号信箱

IPC主分类号：

C30B2922

IPC分类号：

C30B100

代理机构：

中国有色金属工业总公司专利事务所

代理人：

李迎春;王连发

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1998-07-01	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2011-02-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101038291020 IPC(主分类):C30B 29/22 专利号:ZL971218889 申请日:19971211 授权公告日:20010418 终止日期:20100111
2008-12-24	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:西北有色金属研究院变更后权利人:西部超导材料科技有限公司变更事项:地址变更前:陕西省西安市51号信箱邮编: 710016 变更后:陕西省西安市经济开发区明光路12号邮编: 710018 登记生效日:20081114
2001-04-18	授权	授权
1998-07-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备大尺寸高温超导单晶体的方法 [P].

姚忻 ;

郭林山 ;

陈媛媛 ;

陈尚荣 ;

彭波南 ;

王伟 .

中国专利 :CN103603034A ,2014-02-26

[2]

铋硫基超导单晶体及其制备方法 [P].

陈永亮 ;

崔雅静 ;

文志伟 ;

刘世恒 ;

赵勇 .

中国专利 :CN109576773A ,2019-04-05

[3]

一种制备钙掺杂YBCO高温超导单晶体的方法 [P].

姚忻 ;

钱俊 ;

万炎 ;

黄思敏 ;

尹伊倩 .

中国专利 :CN109023526B ,2018-12-18

[4]

硫锡钡单晶体及其制备和用途 [P].

罗中箴 ;

林晨升 ;

程文旦 ;

张炜龙 ;

张浩 .

中国专利 :CN102644116A ,2012-08-22

[5]

一种制备InSeI单晶体的方法 [P].

程国峰 ;

周玄 ;

尹晗迪 ;

阮音捷 ;

孙玥 .

中国专利 :CN112064116A ,2020-12-11

[6]

一种镁掺杂钕钡铜氧大籽晶的制备方法 [P].

李国政 .

中国专利 :CN105063754A ,2015-11-18

[7]

单晶体的制备方法及硅晶体 [P].

王双丽 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN114438585A ,2022-05-06

[8]

一种InTeI单晶体的制备方法 [P].

程国峰 ;

周玄 ;

尹晗迪 ;

阮音捷 ;

孙玥 .

中国专利 :CN114645326B ,2024-02-06

[9]

一种InTeI单晶体的制备方法 [P].

程国峰 ;

周玄 ;

尹晗迪 ;

阮音捷 ;

孙玥 .

中国专利 :CN114645326A ,2022-06-21

[10]

单晶体的制备方法和硅晶体 [P].

王双丽 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN114481302A ,2022-05-13

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