用于形成半导体装置用内插器的复层板、半导体装置用内插器以及它们的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00808729.6

申请日：

2000-06-09

公开(公告)号：

CN1355935A

公开(公告)日：

2002-06-26

发明(设计)人：

西条谨二吉田一雄冈本浩明大泽真司

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2312

IPC分类号：

B23K2000

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/12 申请日:20000609 授权公告日:20050223 终止日期:20170609
2002-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-06-26	公开	公开
2005-02-23	授权	授权

共 50 条

[1]

内插器、半导体封装和制造内插器的方法 [P].

姜芸炳 ;

赵泰济 ;

李赫宰 ;

赵汊济 .

中国专利 :CN107393834A ,2017-11-24

[2]

半导体装置、层叠型半导体装置以及内插器基板 [P].

细野真行 ;

柴田明司 ;

稻叶公男 .

中国专利 :CN101604681B ,2009-12-16

[3]

半导体装置、层叠型半导体装置以及内插器基板 [P].

细野真行 ;

柴田明司 ;

稻叶公男 .

中国专利 :CN101604678B ,2009-12-16

[4]

半导体装置、层叠型半导体装置以及内插器基板 [P].

细野真行 ;

柴田明司 ;

稻叶公男 .

中国专利 :CN101183670A ,2008-05-21

[5]

内插器及其制造方法以及使用该内插器的半导体器件 [P].

深濑克哉 ;

若林信一 .

中国专利 :CN1716587A ,2006-01-04

[6]

包含内插器的半导体封装 [P].

金钟薰 .

中国专利 :CN105826307A ,2016-08-03

[7]

半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法 [P].

佐野真二 ;

小平悦宏 ;

早乙女全纪 ;

大西一永 .

中国专利 :CN106997874B ,2017-08-01

[8]

半导体装置、半导体元件用基板以及它们的制造方法 [P].

佐藤圭吾 ;

祐谷重德 .

中国专利 :CN102194764B ,2011-09-21

[9]

半导体装置、层合半导体装置以及用于制造半导体装置的方法 [P].

D·阿勒斯 ;

F·达奇 ;

D·施莱瑟 ;

T·施特克 .

中国专利 :CN111627883A ,2020-09-04

[10]

半导体装置、层合半导体装置以及用于制造半导体装置的方法 [P].

D·阿勒斯 ;

F·达奇 ;

D·施莱瑟 ;

T·施特克 .

德国专利 :CN111627883B ,2024-11-26

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