用于在两侧抛光半导体晶圆的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780069788.3

申请日：

2017-10-27

公开(公告)号：

CN109952173B

公开(公告)日：

2019-06-28

发明(设计)人：

V·杜奇克

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

B24B3708

IPC分类号：

B24B3722 B24B3724 B24D1800

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

刘佳斐

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 37/08 申请日:20171027
2019-06-28	公开	公开
2021-07-13	授权	授权

共 50 条

[1]

用于抛光半导体晶圆的设备 [P].

J·弗兰克 ;

L·兰普雷希特 .

中国专利 :CN213438984U ,2021-06-15

[2]

用于抛光半导体晶圆的设备和方法 [P].

J·弗兰克 ;

L·兰普雷希特 .

中国专利 :CN112207698A ,2021-01-12

[3]

抛光半导体晶圆的方法 [P].

C·萨皮尔克 ;

T·耶施克 ;

田畑诚 ;

K·勒特格 .

中国专利 :CN101670546B ,2010-03-17

[4]

半导体晶圆的抛光方法 [P].

赵厚莹 .

中国专利 :CN107953225A ,2018-04-24

[5]

半导体晶圆和用于加工半导体晶圆的方法 [P].

B·波尔青格尔 ;

C·费尔斯特 ;

J·比特纳 ;

K·福格特 .

德国专利 :CN118198035A ,2024-06-14

[6]

半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P].

柳井凉一 .

日本专利 :CN120731491A ,2025-09-30

[7]

半导体晶圆的研磨抛光设备 [P].

郑律 ;

马可军 ;

孟庆党 .

中国专利 :CN118617300A ,2024-09-10

[8]

半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P].

铃木温 .

日本专利 :CN119278499A ,2025-01-07

[9]

半导体晶圆和半导体晶圆的制造方法 [P].

园田真吾 ;

西弦正 ;

藤原拓哉 .

日本专利 :CN121123119A ,2025-12-12

[10]

半导体晶圆及半导体晶圆的研磨方法 [P].

吉田拓 ;

栗田英树 .

中国专利 :CN109689946A ,2019-04-26

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