多曝光半导体制造掩模组及制造这种多曝光掩模组的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510113435.8

申请日：

2005-10-08

公开(公告)号：

CN1758138A

公开(公告)日：

2006-04-12

发明(设计)人：

李斗烈吴锡焕吕起成禹相均李淑朴柱温丁成坤

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G03F114

IPC分类号：

G03F100 H01L21027

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

林宇清;谢丽娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-12-01	授权	授权
2006-04-12	公开	公开
2022-09-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 1/14 申请日:20051008 授权公告日:20101201 终止日期:20211008

共 50 条

[1]

曝光掩模及使用该曝光掩模来制造半导体器件的方法 [P].

宋柱京 ;

尹炯舜 .

中国专利 :CN101750879B ,2010-06-23

[2]

曝光掩模及使用该曝光掩模制造半导体器件的方法 [P].

郑龙淳 .

中国专利 :CN101206394A ,2008-06-25

[3]

半导体器件的曝光掩模及其制造方法 [P].

韩镇洙 .

中国专利 :CN1148265A ,1997-04-23

[4]

电子束曝光掩模、曝光方法和设备及半导体器件制造方法 [P].

宫坂满美 .

中国专利 :CN1160762C ,2001-02-28

[5]

曝光掩模以及使用其的半导体器件的制造方法 [P].

大沼英人 ;

永井雅晴 .

中国专利 :CN1912739A ,2007-02-14

[6]

掩模图形检查、曝光条件验证、半导体器件的制造方法 [P].

长滨一郎太 ;

山崎裕一郎 ;

大西笃志 .

中国专利 :CN101673048B ,2010-03-17

[7]

掩模图形检查、曝光条件验证、半导体器件的制造方法 [P].

长滨一郎太 ;

山崎裕一郎 ;

大西笃志 .

中国专利 :CN1892419A ,2007-01-10

[8]

制造光掩模组的方法和制造半导体器件的方法 [P].

安兴培 ;

朴商五 ;

丁成坤 .

中国专利 :CN112731761A ,2021-04-30

[9]

制造光掩模组的方法和制造半导体器件的方法 [P].

安兴培 ;

朴商五 ;

丁成坤 .

韩国专利 :CN112731761B ,2025-10-24

[10]

曝光掩模、其制造方法以及使用其的半导体器件的制造方法 [P].

江崎瑞仙 .

中国专利 :CN1293449A ,2001-05-02

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