用于去除蚀刻后残留物的清洁组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780072992.0

申请日：

2017-11-21

公开(公告)号：

CN110023477A

公开(公告)日：

2019-07-16

发明(设计)人：

M·佩恩 E·库珀金万涞 E·洪 S·金

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

C11D732

IPC分类号：

C11D300 C11D736 C11D1100 G03F742

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

李婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C11D 7/32 申请日:20171121
2019-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用于蚀刻后残留物去除的组合物 [P].

夏德勇 ;

刘兵 ;

刘玉凤 .

中国专利 :CN120173682A ,2025-06-20

[2]

蚀刻后残留物清洁组合物及其使用方法 [P].

孙来生 ;

李翊嘉 ;

王莉莉 ;

吴爱萍 .

中国专利 :CN110777021A ,2020-02-11

[3]

用于TiN硬掩模去除和蚀刻残留物清洁的组合物 [P].

陈昭翔 ;

李翊嘉 ;

刘文达 ;

张仲逸 .

中国专利 :CN110777381B ,2020-02-11

[4]

用于去除蚀刻残留物的组合物及其使用方法和用途 [P].

孙来生 ;

王莉莉 ;

吴爱萍 ;

李翊嘉 ;

陈天牛 .

美国专利 :CN114450388B ,2025-03-21

[5]

用于去除蚀刻残留物的组合物及其使用方法和用途 [P].

孙来生 ;

王莉莉 ;

吴爱萍 ;

李翊嘉 ;

陈天牛 .

中国专利 :CN114450388A ,2022-05-06

[6]

半导体工艺中后蚀刻残留物的去除 [P].

M·切尔纳特 ;

S·李 .

中国专利 :CN100442449C ,2006-07-12

[7]

用于去除蚀刻后残留物的水溶液 [P].

R·梅利斯 .

中国专利 :CN101065837A ,2007-10-31

[8]

一种去除蚀刻残留物的组合物 [P].

蔡贝克 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

李志豪 ;

温启蒙 .

中国专利 :CN120230612A ,2025-07-01

[9]

用于去除刻蚀残留物的组合物 [P].

刘兵 ;

彭洪修 ;

王淑敏 .

中国专利 :CN101490627B ,2009-07-22

[10]

一种去除蚀刻残留物的化学组合物 [P].

张文贝 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

郭辛煊 .

中国专利 :CN120272922A ,2025-07-08

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