一种去除蚀刻残留物的组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311783968.1

申请日：

2023-12-22

公开(公告)号：

CN120230612A

公开(公告)日：

2025-07-01

发明(设计)人：

蔡贝克刘兵彭洪修李志豪温启蒙

申请人：

宁波安集微电子科技有限公司

申请人地址：

315800 浙江省宁波市北仑区柴桥街道青山路79号

IPC主分类号：

C11D7/50

IPC分类号：

C11D7/34 C11D7/32 C11D7/08 C11D7/60

代理机构：

上海市建纬律师事务所 31579

代理人：

李佳铭;王芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种去除蚀刻残留物的清洗液 [P].

程章 ;

刘兵 ;

肖林成 ;

彭洪修 .

中国专利 :CN113568286A ,2021-10-29

[2]

一种用于蚀刻后残留物去除的组合物 [P].

夏德勇 ;

刘兵 ;

刘玉凤 .

中国专利 :CN120173682A ,2025-06-20

[3]

一种蚀刻残留物去除剂组合物 [P].

程章 ;

彭洪修 ;

刘兵 ;

吴兵 .

中国专利 :CN119414678A ,2025-02-11

[4]

一种蚀刻残留物去除组合物 [P].

张文贝 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

郭辛煊 .

中国专利 :CN120272281A ,2025-07-08

[5]

用于去除蚀刻后残留物的清洁组合物 [P].

M·佩恩 ;

E·库珀 ;

金万涞 ;

E·洪 ;

S·金 .

中国专利 :CN110023477A ,2019-07-16

[6]

一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液 [P].

刘兵 ;

彭洪修 ;

孙广胜 ;

颜金荔 .

中国专利 :CN103809394B ,2014-05-21

[7]

一种用于去除半导体晶片蚀刻残留物的清洗组合物 [P].

曹立志 ;

王新龙 ;

支肖琼 ;

杨玉川 ;

周友 .

中国专利 :CN110095953A ,2019-08-06

[8]

一种去除蚀刻残留物的化学组合物 [P].

张文贝 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

郭辛煊 .

中国专利 :CN120272922A ,2025-07-08

[9]

一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液 [P].

刘兵 ;

彭洪修 ;

孙广胜 ;

颜金荔 .

中国专利 :CN103773626B ,2014-05-07

[10]

用于去除蚀刻残留物的组合物及其使用方法和用途 [P].

孙来生 ;

王莉莉 ;

吴爱萍 ;

李翊嘉 ;

陈天牛 .

美国专利 :CN114450388B ,2025-03-21

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