一种蚀刻残留物去除剂组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310912363.1

申请日：

2023-07-25

公开(公告)号：

CN119414678A

公开(公告)日：

2025-02-11

发明(设计)人：

程章彭洪修刘兵吴兵

申请人：

安集微电子科技（上海）股份有限公司

申请人地址：

201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T6－9幢底层

IPC主分类号：

G03F7/42

IPC分类号：

代理机构：

上海市建纬律师事务所 31579

代理人：

李佳铭;王芳

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用于蚀刻后残留物去除的组合物 [P].

夏德勇 ;

刘兵 ;

刘玉凤 .

中国专利 :CN120173682A ,2025-06-20

[2]

一种去除蚀刻残留物的组合物 [P].

蔡贝克 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

李志豪 ;

温启蒙 .

中国专利 :CN120230612A ,2025-07-01

[3]

一种蚀刻组合物及其用途 [P].

程章 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

吴兵 .

中国专利 :CN118185630A ,2024-06-14

[4]

一种蚀刻残留物去除组合物 [P].

张文贝 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

郭辛煊 .

中国专利 :CN120272281A ,2025-07-08

[5]

一种去除蚀刻残留物的化学组合物 [P].

张文贝 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

郭辛煊 .

中国专利 :CN120272922A ,2025-07-08

[6]

用于去除蚀刻后残留物的清洁组合物 [P].

M·佩恩 ;

E·库珀 ;

金万涞 ;

E·洪 ;

S·金 .

中国专利 :CN110023477A ,2019-07-16

[7]

用于去除刻蚀残留物的组合物 [P].

刘兵 ;

彭洪修 ;

王淑敏 .

中国专利 :CN101490627B ,2009-07-22

[8]

一种兼具WC去除和蚀刻残留物清洁的组合物 [P].

叶瑞 ;

谢建 ;

贺兆波 ;

吴政 ;

王亮 ;

孟牧麟 ;

刘春丽 ;

彭秋桂 ;

汪凡杰 ;

李宇 .

中国专利 :CN118185631A ,2024-06-14

[9]

一种用于去除半导体晶片蚀刻残留物的清洗组合物 [P].

曹立志 ;

王新龙 ;

支肖琼 ;

杨玉川 ;

周友 .

中国专利 :CN110095953A ,2019-08-06

[10]

用于去除抗光蚀剂和蚀刻残留物的含有氟化物的酸性组合物 [P].

达里尔·W·彼得斯 ;

伊尔·E·沃德 .

中国专利 :CN1176199C ,2001-07-04

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