一种用于去除半导体晶片蚀刻残留物的清洗组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810082648.6

申请日：

2018-01-29

公开(公告)号：

CN110095953A

公开(公告)日：

2019-08-06

发明(设计)人：

曹立志王新龙支肖琼杨玉川周友

申请人：

申请人地址：

215634 江苏省苏州市张家港保税区新兴产业育成中心A栋210B室

IPC主分类号：

G03F742

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

肖威;刘金辉

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F 7/42 申请公布日:20190806
2019-08-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体工艺中后蚀刻残留物的去除 [P].

M·切尔纳特 ;

S·李 .

中国专利 :CN100442449C ,2006-07-12

[2]

一种去除蚀刻残留物的组合物 [P].

蔡贝克 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

李志豪 ;

温启蒙 .

中国专利 :CN120230612A ,2025-07-01

[3]

一种用于蚀刻后残留物去除的组合物 [P].

夏德勇 ;

刘兵 ;

刘玉凤 .

中国专利 :CN120173682A ,2025-06-20

[4]

用于去除蚀刻后残留物的清洁组合物 [P].

M·佩恩 ;

E·库珀 ;

金万涞 ;

E·洪 ;

S·金 .

中国专利 :CN110023477A ,2019-07-16

[5]

一种去除蚀刻残留物的清洗液 [P].

程章 ;

刘兵 ;

肖林成 ;

彭洪修 .

中国专利 :CN113568286A ,2021-10-29

[6]

一种蚀刻残留物去除剂组合物 [P].

程章 ;

彭洪修 ;

刘兵 ;

吴兵 .

中国专利 :CN119414678A ,2025-02-11

[7]

用于去除刻蚀残留物的组合物 [P].

刘兵 ;

彭洪修 ;

王淑敏 .

中国专利 :CN101490627B ,2009-07-22

[8]

一种蚀刻残留物去除组合物 [P].

张文贝 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

郭辛煊 .

中国专利 :CN120272281A ,2025-07-08

[9]

一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液 [P].

刘兵 ;

彭洪修 ;

孙广胜 ;

颜金荔 .

中国专利 :CN103809394B ,2014-05-21

[10]

一种用于选择性移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的组合物 [P].

曹立志 ;

王新龙 ;

支肖琼 ;

杨玉川 ;

周友 .

中国专利 :CN110095952A ,2019-08-06

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