蚀刻后残留物清洁组合物及其使用方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910671795.1

申请日：

2019-07-24

公开(公告)号：

CN110777021A

公开(公告)日：

2020-02-11

发明(设计)人：

孙来生李翊嘉王莉莉吴爱萍

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

C11D706

IPC分类号：

C11D726 C11D732 C11D734 C11D760 H01L2102

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

吴亦华;徐志明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C11D 7/06 申请日:20190724
2020-02-11	公开	公开

共 50 条

[1]

用于去除蚀刻残留物的组合物及其使用方法和用途 [P].

孙来生 ;

王莉莉 ;

吴爱萍 ;

李翊嘉 ;

陈天牛 .

美国专利 :CN114450388B ,2025-03-21

[2]

用于去除蚀刻残留物的组合物及其使用方法和用途 [P].

孙来生 ;

王莉莉 ;

吴爱萍 ;

李翊嘉 ;

陈天牛 .

中国专利 :CN114450388A ,2022-05-06

[3]

用于去除蚀刻后残留物的清洁组合物 [P].

M·佩恩 ;

E·库珀 ;

金万涞 ;

E·洪 ;

S·金 .

中国专利 :CN110023477A ,2019-07-16

[4]

一种用于蚀刻后残留物去除的组合物 [P].

夏德勇 ;

刘兵 ;

刘玉凤 .

中国专利 :CN120173682A ,2025-06-20

[5]

用于除去蚀刻残留物的组合物及其应用 [P].

M·埃格伯 .

中国专利 :CN100367114C ,2005-10-26

[6]

一种去除蚀刻残留物的组合物 [P].

蔡贝克 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

李志豪 ;

温启蒙 .

中国专利 :CN120230612A ,2025-07-01

[7]

用于去除蚀刻残留物的组合物、其使用方法及用途 [P].

孙来生 ;

王莉莉 ;

吴爱萍 ;

李翊嘉 ;

陈天牛 .

中国专利 :CN114127230A ,2022-03-01

[8]

半导体工艺中后蚀刻残留物的去除 [P].

M·切尔纳特 ;

S·李 .

中国专利 :CN100442449C ,2006-07-12

[9]

用于TiN硬掩模去除和蚀刻残留物清洁的组合物 [P].

陈昭翔 ;

李翊嘉 ;

刘文达 ;

张仲逸 .

中国专利 :CN110777381B ,2020-02-11

[10]

清洁组合物及其使用方法 [P].

杉岛泰雄 ;

朴起永 ;

T·多瑞 .

中国专利 :CN108138334A ,2018-06-08

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