半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410812448.3

申请日：

2014-12-23

公开(公告)号：

CN105789300B

公开(公告)日：

2016-07-20

发明(设计)人：

张哲诚程潼文陈建颖林木沧

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-15	授权	授权
2016-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101674702911 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014108124483 申请日:20141223
2016-07-20	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

赵梅 ;

梁仁荣 ;

王敬 ;

许军 .

中国专利 :CN102201436A ,2011-09-28

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

赵梅 ;

梁仁荣 ;

王敬 ;

许军 .

中国专利 :CN102201435B ,2011-09-28

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

黄国彬 ;

李思毅 ;

陈嘉仁 ;

杨棋铭 ;

陈其贤 ;

林进祥 .

中国专利 :CN102117745A ,2011-07-06

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

林建廷 .

中国专利 :CN106941118A ,2017-07-11

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈皇魁 .

中国专利 :CN106158860B ,2016-11-23

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈明德 ;

蔡蕙婷 ;

何军 ;

游国丰 ;

蔡俊雄 .

中国专利 :CN114883261A ,2022-08-09

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈建宏 ;

刘胜杰 ;

陈禾秉 ;

吴文朗 ;

崔成章 .

中国专利 :CN104835780B ,2015-08-12

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

许维良 ;

陈重磊 ;

郑安皓 ;

林彦良 ;

萧茹雄 .

中国专利 :CN118983350A ,2024-11-19

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

游力蓁 ;

黄麟淯 ;

庄正吉 ;

林佑明 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113078152A ,2021-07-06

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

A·C·卡勒伽里 ;

M·L·斯特恩 ;

V·纳拉亚南 ;

V·K·帕鲁许里 ;

B·B·多里斯 ;

M·P·胡齐克 .

中国专利 :CN1983599A ,2007-06-20

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