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半导体结构及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411002433.0
申请日
:
2024-07-25
公开(公告)号
:
CN118983350A
公开(公告)日
:
2024-11-19
发明(设计)人
:
许维良
陈重磊
郑安皓
林彦良
萧茹雄
申请人
:
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址
:
中国台湾新竹
IPC主分类号
:
H01L29/94
IPC分类号
:
H01L27/10
H01L21/329
H01L21/82
代理机构
:
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
:
章社杲;李伟
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-11-19
公开
公开
2024-12-06
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/94申请日:20240725
共 50 条
[1]
半导体结构及其制造方法
[P].
黄国彬
论文数:
0
引用数:
0
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0
黄国彬
;
李思毅
论文数:
0
引用数:
0
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0
李思毅
;
陈嘉仁
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈嘉仁
;
杨棋铭
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨棋铭
;
陈其贤
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈其贤
;
林进祥
论文数:
0
引用数:
0
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0
林进祥
.
中国专利
:CN102117745A
,2011-07-06
[2]
半导体结构及其制造方法
[P].
刘铭棋
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘铭棋
;
郭俊聪
论文数:
0
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0
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0
郭俊聪
.
中国专利
:CN115566018A
,2023-01-03
[3]
半导体结构及其制造方法
[P].
李芳宏
论文数:
0
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0
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机构:
南亚科技股份有限公司
南亚科技股份有限公司
李芳宏
;
刘吉峰
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
南亚科技股份有限公司
南亚科技股份有限公司
刘吉峰
.
中国专利
:CN119893989A
,2025-04-25
[4]
半导体结构及其制造方法
[P].
章思尧
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
南亚科技股份有限公司
南亚科技股份有限公司
章思尧
.
中国专利
:CN120152282A
,2025-06-13
[5]
半导体结构及其制造方法
[P].
林建廷
论文数:
0
引用数:
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林建廷
.
中国专利
:CN106941118A
,2017-07-11
[6]
半导体结构及其制造方法
[P].
许汉杰
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
力晶积成电子制造股份有限公司
力晶积成电子制造股份有限公司
许汉杰
;
许正源
论文数:
0
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0
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机构:
力晶积成电子制造股份有限公司
力晶积成电子制造股份有限公司
许正源
;
张骕远
论文数:
0
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0
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机构:
力晶积成电子制造股份有限公司
力晶积成电子制造股份有限公司
张骕远
.
中国专利
:CN113013331B
,2024-04-05
[7]
半导体结构及其制造方法
[P].
蔡沅昇
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
南亚科技股份有限公司
南亚科技股份有限公司
蔡沅昇
.
中国专利
:CN120512885A
,2025-08-19
[8]
半导体结构及其制造方法
[P].
王启安
论文数:
0
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王启安
;
任楷
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任楷
;
张维哲
论文数:
0
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0
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张维哲
.
中国专利
:CN114122256A
,2022-03-01
[9]
半导体结构及其制造方法
[P].
赵梅
论文数:
0
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赵梅
;
梁仁荣
论文数:
0
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0
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梁仁荣
;
王敬
论文数:
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0
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王敬
;
许军
论文数:
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0
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许军
.
中国专利
:CN102201436A
,2011-09-28
[10]
半导体结构及其制造方法
[P].
陈皇魁
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈皇魁
.
中国专利
:CN106158860B
,2016-11-23
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