半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510145695.7

申请日：

2010-04-15

公开(公告)号：

CN104835795A

公开(公告)日：

2015-08-12

发明(设计)人：

本间琢朗堀田胜彦森山卓史

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L23485

IPC分类号：

H01L2160

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-28	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722730503 IPC(主分类):H01L 23/485 专利申请号:2015101456957 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:神奈川县变更后:日本东京都
2019-04-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 23/485 申请公布日:20150812
2015-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101624658152 IPC(主分类):H01L 23/485 专利申请号:2015101456957 申请日:20100415
2015-08-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

小柳贤一 ;

藤井邦宏 ;

宇佐美达矢 ;

岸本光司 .

中国专利 :CN1139111C ,2004-02-18

[2]

半导体器件和半导体器件组件 [P].

辻内干夫 ;

多留谷政良 ;

竹内阳介 .

中国专利 :CN102208429A ,2011-10-05

[3]

半导体器件及其制造方法、以及薄膜器件 [P].

松浦修武 .

中国专利 :CN100543939C ,2007-02-21

[4]

半导体器件 [P].

伊喜利勇贵 .

日本专利 :CN117747613A ,2024-03-22

[5]

半导体器件 [P].

斋藤敏男 ;

石川宪辅 ;

芦原洋司 ;

斋藤达之 .

中国专利 :CN1458689A ,2003-11-26

[6]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

大西泰彦 .

中国专利 :CN102163621A ,2011-08-24

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

冈田纪雄 .

中国专利 :CN1139122C ,2000-04-19

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

喜多贤太郎 ;

林刚司 ;

生田公仁 .

中国专利 :CN107845605A ,2018-03-27

[9]

半导体器件 [P].

山口直 .

中国专利 :CN114335007A ,2022-04-12

[10]

半导体器件 [P].

小野瑞城 ;

石原贵光 .

中国专利 :CN1591903A ,2005-03-09

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